[發明專利]一種高效FOLED及其制備方法在審
| 申請號: | 201911069592.1 | 申請日: | 2019-11-05 |
| 公開(公告)號: | CN110797469A | 公開(公告)日: | 2020-02-14 |
| 發明(設計)人: | 陳亮;雒玉蓉;金尚忠;徐時清;沈洋;張淑琴;黃帥;方強龍;何坤;楊茹;張振 | 申請(專利權)人: | 中國計量大學 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50 |
| 代理公司: | 33333 杭州杭欣專利代理事務所(普通合伙) | 代理人: | 潘欣欣 |
| 地址: | 310018 浙江省*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電子傳輸層 空穴傳輸層 陰極 電子注入層 空穴注入層 摻雜 發光層 制備 高純度金屬 彎曲耐久性 陽極功函數 接觸性能 注入效率 最佳性能 燒結 緩沖層 基底 光滑 薄膜 | ||
本發明公開了一種高效FOLED及其制備方法,包括PET基板、ITO基底、以及依次疊于緩沖層之上的空穴注入層、空穴傳輸層、超薄發光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極,所述空穴注入層是一種K摻雜NiO(KNO),所述空穴傳輸層為NPB,厚度為60nm,所述超薄發光層為CBP:4CzIPN,摻雜濃度約為5wt%,厚度為30nm,所述電子傳輸層為TPBi,厚度為10nm,所述電子注入層為LiF,厚度為1nm,所述陰極的材料為高純度金屬Al,厚度為100nm,所述K摻雜NiO粉末是采用1273K在空氣中燒結4h制備。該高效FOLED摻K的NiO薄膜比ITO薄膜更光滑,接觸性能更好,提高了孔的注入效率,陽極功函數得到了增強,其中空穴傳輸層和電子傳輸層的厚度是目前在亮度和彎曲耐久性方面權衡后最適合的,可以使FOLED設計達到最佳性能。
技術領域
本發明屬于有機電致發光器件技術領域,尤其涉及一種高效FOLED及其制備方法。
背景技術
柔性有機發光二級管(FOLED)具有高效率、低成本、高分辨率、低能耗以及可柔性顯示、大面積制備等優點,在顯示和固態照明領域具有廣泛的應用前景。
在FOLED光電性能指標中,發光效率是評價其是否可以商業化應用的關鍵技術參數之一,為了降低能耗、提高發光效率,器件的驅動電壓應盡可能低,研究表明,電極和電極與有機層之間的界面對有機發光二極管效率起著至關重要的作用,目前OLED常用ITO作陽極基底,即使使用紫外線臭氧或O2等離子體處理,在ITO和空穴傳輸材料界面仍然存在能量屏障。
在FOLED光電性能指標中,彎折耐久性是評價其是否可以商業化應用的另一關鍵技術參數,彎曲對器件性能的主要影響來自有機層和鋁層的破壞,因此選取合適厚度的有機層十分重要。
發明內容
本發明的目的在于提供一種高效FOLED及其制備方法,以解決上述背景技術中提出器件的發光效率低和彎曲耐久性差的問題。
為實現上述目的,本發明提供如下技術方案:一種高效FOLED,包括PET基板,ITO基底,以及依次疊于緩沖層之上的空穴注入層、空穴傳輸層、超薄發光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極。
優選的,所述空穴注入層是一種K摻雜NiO(KNO)。
優選的,所述空穴傳輸層為NPB,厚度為60nm。
優選的,所述超薄發光層為CBP:4CzIPN,摻雜濃度約為5wt%,厚度為30nm。
優選的,所述電子傳輸層為TPBi,厚度為10nm。
優選的,所述電子注入層為LiF,厚度為1nm。
優選的,所述陰極的材料為高純度金屬Al,厚度為100nm。
優選的,所述K摻雜NiO粉末是采用1273K在空氣中燒結4h制備。
與現有技術相比,本發明高效FOLED及其制備方法的有益效果包括:
(1)摻K的NiO薄膜比ITO薄膜更光滑,接觸性能更好,提高了孔的注入效率,陽極功函數得到了增強。
(2)所述空穴傳輸層和電子傳輸層的厚度是目前在亮度和彎曲耐久性方面權衡后最適合的,可以使FOLED設計達到最佳性能。
附圖說明
圖1為本發明一種高效FOLED及其制備方法所提供的FOLED的制備流程圖;
圖2為發明一種高效FOLED及其制備方法的實施例1中FOLED結構圖;
圖3為發明一種高效FOLED及其制備方法的實施例2中FOLED結構圖;
圖4為發明一種高效FOLED及其制備方法的實施例3中FOLED結構圖。
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H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
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H01L51-54 .. 材料選擇





