[發(fā)明專利]一種自適應(yīng)匹配LPDDR4內(nèi)存條和DDR4內(nèi)存條的裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911069415.3 | 申請日： | 2019-11-05 |
| 公開（公告）號： | CN110780716A | 公開（公告）日： | 2020-02-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 鄭榮;林日輝;邱文清 | 申請（專利權(quán)）人： | 福建升騰資訊有限公司 |
| 主分類號： | G06F1/18 | 分類號： | G06F1/18;G06F1/16 |
| 代理公司： | 35212 福州市鼓樓區(qū)京華專利事務(wù)所(普通合伙) | 代理人： | 林燕 |
| 地址： | 350000 福建省福州市倉山區(qū)金*** | 國省代碼： | 福建;35 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 電阻 電容 內(nèi)存條 電源管理電路 自適應(yīng)匹配 供電電路 外圍 電源管理芯片 供電電路連接 二極管 | ||
1.一種自適應(yīng)匹配LPDDR4內(nèi)存條和DDR4內(nèi)存條的裝置，其特征在于：包括一電源管理電路以及一外圍供電電路；所述電源管理電路與外圍供電電路連接；
所述電源管理電路包括一電源管理芯片U27、一電阻R104、一電阻R469、一電阻R491、一電阻R494、一電阻R495、一電阻R109、一電容C399、一電容C389以及一電容C400；
所述電阻R104的一端與LPDDR4內(nèi)存條或者DDR4內(nèi)存條連接，另一端與所述電阻R469以及電源管理芯片U27的引腳23連接；所述電阻R469接地；所述電容C389的一端與電阻R491以及外圍供電電路連接，另一端接地；所述電阻R491與電源管理芯片U27的引腳20連接；所述電阻R494的一端與電容C399以及LPDDR4內(nèi)存條或者DDR4內(nèi)存條連接，另一端與所述電源管理芯片U27的引腳19連接；所述電容C399接地；所述電阻R495的一端與電阻R109以及電容C400連接，另一端與所述電源管理芯片U27的引腳4連接；所述電容C400接地；所述電阻R109與LPDDR4內(nèi)存條或者DDR4內(nèi)存條連接；
所述外圍供電電路包括一電阻R103、一電阻R105、一電阻R86、一電阻R119、一電阻R52、一電阻R101、一電容C240、一電容C246、一MOS管Q21、一MOS管Q17、一MOS管Q25以及一二極管D15；
所述MOS管Q21的S極接地，G極與所述電阻R86、電阻R103、電阻R105、電阻R119、電容C240以及MOS管Q25的G極連接，D極與所述電阻R52、電阻R101、電容C246以及MOS管Q17的G極連接；所述二極管D15的輸入端與MOS管Q17的S極連接，輸出端與MOS管Q25的S極以及電阻R491連接；所述電阻R119、電容C240、電阻R101以及電容C246均接地；所述電阻R105與LPDDR4內(nèi)存條或者DDR4內(nèi)存條連接。
2.如權(quán)利要求1所述的一種自適應(yīng)匹配LPDDR4內(nèi)存條和DDR4內(nèi)存條的裝置，其特征在于：所述電源管理芯片U27的型號為RT5077A。
3.如權(quán)利要求1所述的一種自適應(yīng)匹配LPDDR4內(nèi)存條和DDR4內(nèi)存條的裝置，其特征在于：所述電阻R104的一端與LPDDR4內(nèi)存條或者DDR4內(nèi)存條連接具體為：
所述電阻R104的一端與LPDDR4內(nèi)存條或者DDR4內(nèi)存條的第87針引腳連接。
4.如權(quán)利要求1所述的一種自適應(yīng)匹配LPDDR4內(nèi)存條和DDR4內(nèi)存條的裝置，其特征在于：所述電阻R494的一端與電容C399以及LPDDR4內(nèi)存條或者DDR4內(nèi)存條連接具體為：
所述電阻R494的一端與電容C399以及LPDDR4內(nèi)存條或者DDR4內(nèi)存條的VPP引腳連接。
5.如權(quán)利要求1所述的一種自適應(yīng)匹配LPDDR4內(nèi)存條和DDR4內(nèi)存條的裝置，其特征在于：所述電阻R109與LPDDR4內(nèi)存條或者DDR4內(nèi)存條連接具體為：
所述電阻R109與LPDDR4內(nèi)存條或者DDR4內(nèi)存條連接的VDDQ引腳連接。
6.如權(quán)利要求1所述的一種自適應(yīng)匹配LPDDR4內(nèi)存條和DDR4內(nèi)存條的裝置，其特征在于：所述電阻R105與LPDDR4內(nèi)存條或者DDR4內(nèi)存條連接具體為：
所述電阻R105與LPDDR4內(nèi)存條或者DDR4內(nèi)存條的第100針引腳連接。
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