[發(fā)明專(zhuān)利]發(fā)光二極管模塊以及顯示裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911069059.5
• 申請(qǐng)日: 2019-11-05
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111146230A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-05-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李振燮;盧慧錫;成漢珪;崔榮進(jìn)
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/15
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/15;H01L33/38;H01L33/50
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 劉美華;尹淑梅

1.一種發(fā)光二極管模塊，所述發(fā)光二極管模塊包括：

單元陣列，包括第一發(fā)光二極管單元至第四發(fā)光二極管單元，每個(gè)發(fā)光二極管單元具有第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、有源層以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層，所述單元陣列具有第一表面以及與所述第一表面相對(duì)的第二表面；

第一調(diào)光部分至第四調(diào)光部分，位于所述單元陣列的所述第二表面上以分別對(duì)應(yīng)于所述第一發(fā)光二極管單元至所述第四發(fā)光二極管單元，從而分別提供紅光、第一綠光、第二綠光和藍(lán)光；

光阻擋壁，位于所述第一調(diào)光部分至所述第四調(diào)光部分之間以將所述第一調(diào)光部分至所述第四調(diào)光部分彼此隔離；以及

電極部分，位于所述單元陣列的所述第一表面上，并且電連接到所述第一發(fā)光二極管單元至所述第四發(fā)光二極管單元以選擇性地驅(qū)動(dòng)所述第一發(fā)光二極管單元至所述第四發(fā)光二極管單元。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管模塊，其中：

所述第一發(fā)光二極管單元至所述第四發(fā)光二極管單元發(fā)射藍(lán)光，并且

所述第一調(diào)光部分包括將藍(lán)光轉(zhuǎn)換成所述紅光的第一波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部分，所述第二調(diào)光部分包括將藍(lán)光轉(zhuǎn)換成所述第一綠光的第二波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部分，并且所述第三調(diào)光部分包括將藍(lán)光轉(zhuǎn)換成所述第二綠光的第三波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部分。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管模塊，其中，所述第一綠光具有510納米至525納米的峰值波長(zhǎng)，所述第二綠光具有530納米至540納米的峰值波長(zhǎng)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管模塊，其中，所述第一綠光和所述第二綠光各自具有55納米或更窄的半峰全寬。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管模塊，其中，所述藍(lán)光具有460納米至470納米的峰值波長(zhǎng)，所述紅光具有620納米至640納米的峰值波長(zhǎng)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管模塊，其中，所述紅光和所述藍(lán)光各自具有30納米或更窄的半峰全寬。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管模塊，其中，所述發(fā)光二極管模塊的色域覆蓋CIE1931坐標(biāo)系中的BT.2020區(qū)域的90％或更高。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管模塊，其中，所述第一調(diào)光部分至所述第三調(diào)光部分還包括分別位于所述第一波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部分至所述第三波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部分上的濾波器，所述濾波器阻擋所述藍(lán)光。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管模塊，其中，所述第四調(diào)光部分包括包含用于降低光學(xué)輸出的光吸收材料的透明樹(shù)脂層。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管模塊，其中：

所述第一發(fā)光二極管單元至所述第四發(fā)光二極管單元發(fā)射紫外光，并且

所述第一調(diào)光部分至所述第四調(diào)光部分分別包括第一波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部分至第四波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部分，所述第一波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部分至所述第四波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部分分別將所述紫外光轉(zhuǎn)換成所述紅光、所述第一綠光、所述第二綠光和所述藍(lán)光。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管模塊，其中，所述單元陣列還包括分別圍繞所述第一發(fā)光二極管單元至所述第四發(fā)光二極管單元以將所述第一發(fā)光二極管單元至所述第四發(fā)光二極管單元彼此隔離的反射絕緣部分，并且所述光阻擋壁連接到所述反射絕緣部分。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管單元，其中，所述反射絕緣部分包括其中具有不同折射率的多個(gè)絕緣膜交替堆疊的分布式布拉格反射器結(jié)構(gòu)。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管模塊，其中，所述反射絕緣部分各自包括分別圍繞所述第一發(fā)光二極管單元至所述第四發(fā)光二極管單元的絕緣層和位于所述絕緣層上的金屬反射層。