[發明專利]圖像傳感器

在審

• 申請號: 201911068784.0
• 申請日: 2019-11-05
• 公開（公告）號: CN111146218A
• 公開（公告）日: 2020-05-12
• 發明（設計）人: 金局泰;金振均;洪守珍
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張波

一種圖像傳感器包括：半導體基板，具有第一表面和第二表面；以及像素隔離膜，從半導體基板的第一表面延伸到半導體基板中并在半導體基板中限定有源像素，其中像素隔離膜包括掩埋導電層和絕緣襯墊，掩埋導電層包括以第一濃度含有微細化元素的多晶硅，絕緣襯墊在掩埋導電層和半導體基板之間，以及其中微細化元素包括氧、碳或氟。

技術領域

實施方式涉及圖像傳感器。

背景技術

圖像傳感器是將光學圖像信號轉換成電信號的器件。圖像傳感器可以包括包含多個光電二極管區域的像素區域、以及用于使像素彼此電分離的像素隔離區域，在所述多個光電二極管區域中入射光被接收并轉換成電信號。

發明內容

實施方式可以通過一種提供圖像傳感器來實現，該圖像傳感器包括：半導體基板，具有第一表面和第二表面；以及像素隔離膜，從半導體基板的第一表面延伸到半導體基板中并在半導體基板中限定有源像素，其中像素隔離膜包括掩埋導電層和絕緣襯墊，掩埋導電層包括以第一濃度含有微細化元素(fining element)的多晶硅，絕緣襯墊在掩埋導電層和半導體基板之間，以及其中微細化元素包括氧、碳或氟。

實施方式可以通過提供一種圖像傳感器來實現，該圖像傳感器包括：半導體基板；以及像素隔離膜，在穿過半導體基板的像素溝槽中并在半導體基板中限定有源像素，其中像素隔離膜包括絕緣襯墊和掩埋導電層，絕緣襯墊在像素溝槽的側壁上，掩埋導電層在絕緣襯墊上填充在像素溝槽的內部，掩埋導電層包括以第一濃度含有微細化元素的多晶硅，以及其中微細化元素包括氧、碳或氟。

實施方式可以通過提供一種圖像傳感器來實現，該圖像傳感器包括：半導體基板，包括多個有源像素；以及像素隔離膜，在所述多個有源像素中的有源像素之間并且在穿過半導體基板的像素溝槽中，其中像素隔離膜包括絕緣襯墊和掩埋導電層，絕緣襯墊在像素溝槽的側壁上，掩埋導電層在絕緣襯墊上填充在像素溝槽的內部，掩埋導電層包括以第一濃度含有微細化元素的多晶硅，以及其中微細化元素包括氧并且第一濃度為約5at％至約40％。

附圖說明

通過參照附圖詳細描述示例性實施方式，特征將對本領域技術人員明顯，附圖中：

圖1示出了根據示例實施方式的圖像傳感器的布局圖；

圖2示出了沿圖1的線II-II'截取的剖視圖；

圖3示出了根據示例實施方式的圖像傳感器的有源像素的等效電路圖；

圖4示出了根據示例實施方式的圖像傳感器的剖視圖；

圖5示出了根據示例實施方式的圖像傳感器的剖視圖；

圖6示出了根據示例實施方式的圖像傳感器的剖視圖；

圖7A-7L示出了根據示例實施方式的制造圖像傳感器的方法中的階段的剖視圖；

圖8示出了根據示例實施方式的制造圖像傳感器的方法的流程圖；

圖9A-9C示出了根據示例實施方式的制造圖像傳感器的方法中的階段的剖視圖；

圖10示出了根據示例實施方式的制造圖像傳感器的方法的流程圖；

圖11示出了根據示例實施方式的制造圖像傳感器的方法的流程圖；

圖12A-12D示出了根據示例實施方式的制造圖像傳感器的方法中的階段的剖視圖；

圖13示出了根據示例實施方式的制造圖像傳感器的方法的流程圖；

圖14示出了根據示例實施方式的制造圖像傳感器的方法的流程圖；以及

圖15示出了根據示例和比較例的包括在圖像傳感器中的掩埋導電層的X射線衍射分析圖。

具體實施方式