[發明專利]發光二極管及其制作方法

在審

• 申請號: 201911067851.7
• 申請日: 2019-11-04
• 公開（公告）號: CN112768484A
• 公開（公告）日: 2021-05-07
• 發明（設計）人: 何安和;林素慧;王鋒;夏章艮;詹宇;洪靈愿
• 申請（專利權）人: 廈門三安光電有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L33/20;H01L33/38;H01L21/78
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.發光二極管，包括：

透明基板，具有相對的第一表面和第二表面，及連接該第一表面、第二表面的側壁；

發光臺面，形成于所述透明基板的第一表面之上，包括一發光外延疊層，該發光外延疊層自所述透明基板的第一表面堆疊的第一導電類型半導體層、有源層和第二導電類型半導體層；

支撐層，形成于所述發光外延疊層的外周邊，與所述發光臺面形成一平面，該平面的橫截面積不低于所述透明基板的第一表面的橫截面積；

第一電極，配置到該平面上，電連接到所述第一導電類型半導體層；

第二電極，配置到該平面上，電連接到所述第二導電類型半導體層。

2.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：所述發光臺面包括一絕緣層，至少覆蓋所述發光外延疊層的上表面及側壁，并且具有第一開口和第二開口，所述第一電極通過第一開口電連接到所述第一導電類型半導體層，所述第二電極通過第二開口電連接到所述第二導電類型半導體層。

3.根據權利要求2所述的發光二極管，其特征在于：所述絕緣層為絕緣性絕緣層，所述支撐層為有色材料層。

4.根據權利要求3所述的發光二極管，其特征在于：所述支撐層為黑膠。

5.根據權利要求2所述的發光二極管，其特征在于：所述支撐層具有一第三表面，與所述絕緣層的表面齊平，構成所述平面。

6.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：所述支撐層至少部分覆蓋所述透明基板的側壁。

7.根據權利要求6所述的發光二極管，其特征在于：所述支撐層具有一第四表面，與所述透明基板的第二表面齊平。

8.根據權利要求6所述的發光二極管，其特征在于：所述支撐層覆蓋在所述透明基板的側壁的厚度為2~20μm。

9.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：所述第一電極和第二電極為多層結構，底層為Cr、Al、Ti、Ni、Pt、Au金屬材料中一種或多種疊層組合，表層為含Sn或者Au金屬材料。

10.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：所述透明基板的第一表面的邊緣的邊長介于200~300μm或100~200μm或40~100μm。

11.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：所述有源層發射的光線從所述透明基板的第二表面射出，其出光角為135°以下。

12.發光二極管的制作方法，其特征在于，包括下面步驟：

（一）在一透明基板上的第一表面上形成發光臺面，該發光臺面包括一發光外延疊層，該發光外延疊層自所述透明基板的第一表面堆疊的第一導電類型半導體層、有源層和第二導電類型半導體層；

（二）制作支撐層，其形成于所述發光外延疊層的外周邊，與所述發光臺面形成一平面，該平面的橫截面積不低于所述透明基板的第一表面的橫截面積；

（三）在該平面上制作第一電極和第二電極，其中第一電極電連接到所述第一導電類型半導體層；第二電極電連接到所述第二導電類型半導體層。

13.根據權利要求12所述的發光二極管的制作方法，其特征在于，所述步驟（一）進一步包括：

（1）提供一外延結構，包括透明基板及發光外延疊層，該基板具有第一表面和第二表面，及連接該第一表面和第二表面的側壁，該發光外延疊層形成在該透明基板的第一表面之上，包括自所述透明基板的第一表面堆疊的第一導電類型半導體層、有源層和第二導電類型半導體層；

（2）在所述發光外延疊層的表面定義出切割道，沿所述切割道將所述外延結構分割為一系列發光單元；

（3）擴大該系列發光單元之間的間距；

所述步驟（二）中在所述發光單元之間的填充材料層，其覆蓋所述發光單元的側壁，形成所述支撐層。