[發明專利]一種任意入射條件下電光晶體相位延遲分析方法在審
| 申請號： | 201911066834.1 | 申請日： | 2019-11-04 |
| 公開（公告）號： | CN110908147A | 公開（公告）日： | 2020-03-24 |
| 發明（設計）人： | 杜小平;張朋;趙繼廣 | 申請（專利權）人： | 中國人民解放軍戰略支援部隊航天工程大學 |
| 主分類號： | G02F1/03 | 分類號： | G02F1/03 |
| 代理公司： | 北京中政聯科專利代理事務所(普通合伙) 11489 | 代理人： | 鄭久興 |
| 地址： | 101416*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 任意 入射 條件下 電光 晶體 相位 延遲 分析 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種任意入射條件下電光晶體相位延遲分析方法，其特征在于，采用解析表達式求解各個參數，包含如下步驟：
第一步：基于折射率橢球理論確定外電場作用下電光晶體的感應主折射率；
第二步：利用第一步得到的感應主折射率值，基于電磁波理論確定任意入射條件下折射光波的折射率；
第三步：利用第二步得到的折射率計算任意入射條件下折射光波矢量、光線矢量；
第四步：利用第三步的結果，計算快光和慢光在電光晶體內傳播的光程長，得到二者的相位延遲。
2.如權利要求1所述的一種任意入射條件下電光晶體相位延遲分析方法，其特征在于，入射光線的方向由入射角和方位角確定。
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