[發(fā)明專利]半導體結(jié)構(gòu)及其制備方法

在審

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• 申請日: 2019-11-04
• 公開（公告）號: CN111384024A
• 公開（公告）日: 2020-07-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 楊倉博
• 申請（專利權(quán)）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/528
• 分類號: H01L23/528;H01L23/538
• 代理公司: 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 黃艷

1.一種半導體結(jié)構(gòu)，包括：

一基底；

一第一導線與一第二導線，配置在該基底上；

一第一介電層，配置在該基底上，并圍繞該第一導線與該第二導線；

一第一導電通孔，延伸經(jīng)過該第一介電層，并接觸在該第一導線上；

一第三導線，配置在該第一介電層上，并接觸該第一導電通孔；以及

一第二介電層，配置在該第一介電層上，并圍繞該第三導線；

其中該第三導線覆蓋該第一導線與該第二導線。

2.如權(quán)利要求1所述的半導體結(jié)構(gòu)，其中該第三導線的一寬度大于該第一導線的一寬度或是該第二導線的一寬度。

3.如權(quán)利要求1所述的半導體結(jié)構(gòu)，其中該第三導線的一寬度至少為該第一導線的一寬度的兩倍。

4.如權(quán)利要求1所述的半導體結(jié)構(gòu)，其中該第一導線與該第二導線相互平行地延伸。

5.如權(quán)利要求1所述的半導體結(jié)構(gòu)，還包括一第四導線，配置在該第一導線與該第二導線之間。

6.如權(quán)利要求5所述的半導體結(jié)構(gòu)，其中該第三導線覆蓋該第四導線。

7.如權(quán)利要求5所述的半導體結(jié)構(gòu)，其中該第四導線與該第一導線、該第二導線以及該第三導線電性隔離。

8.如權(quán)利要求1所述的半導體結(jié)構(gòu)，還包括一第二導電通孔，在該第二導線與該第三導線之間延伸，并接觸該第二導線與該第三導線。

9.如權(quán)利要求8所述的半導體結(jié)構(gòu)，其中該第一導線經(jīng)由該第一導電通孔、該第二導電通孔以及該第三導線而電性連接該第二導線。

10.如權(quán)利要求8所述的半導體結(jié)構(gòu)，其中該第一導電通孔是對準該第二導電通孔。

11.如權(quán)利要求8所述的半導體結(jié)構(gòu)，其中在該第三導線的一邊緣與該第二導電通孔的一邊緣之間的一最短距離，是大于230nm。

12.如權(quán)利要求1所述的半導體結(jié)構(gòu)，其中該第三導線沿著該第一導線或該第二導線延伸，該第三導線具有一長度，是大于在該第一導線與該第二導線之間的一距離。

13.如權(quán)利要求1所述的半導體結(jié)構(gòu)，其中在該第三導線的一邊緣與該第一導電通孔的一邊緣之間的一最短距離，是大于230nm。

14.如權(quán)利要求1所述的半導體結(jié)構(gòu)，其中該第一導線與該第二導線是完全地相互隔離。

15.如權(quán)利要求1所述的半導體結(jié)構(gòu)，其中該第一導電通孔配置在該第一介電層的一部分上，且從該第一導線朝向該第二導線方向平移離開。

16.一種半導體結(jié)構(gòu)，包括：

一基底；

多個多個第一導線，配置在該基底上；

一第一介電層，配置在該基底上，并圍繞所述第一導線設(shè)置；

多個多個導電通孔，延伸經(jīng)過該第一介電層，且各該導電通孔分別接觸所述第一導線；

多個多個第二導線，配置在該第一介電層上，并接觸所述第一導電通孔；以及

一第二介電層，配置在該第一介電層上，并圍繞所述第二導線設(shè)置；

其中所述第二導線的其中一個第二導線配置在所述第一導線的至少其中兩個第一導線上，且所述第二導線其中一個第二導線沿著所述第一導線至少其中兩個第一導線延伸。

17.如權(quán)利要求16所述的半導體結(jié)構(gòu)，其中所述第二導線的相互鄰近的二第二導線之間的一距離，大于所述第一導線其中一個的一寬度。

18.如權(quán)利要求16所述的半導體結(jié)構(gòu)，其中所述第一導線其中兩個第一導線是相互耦接。