[發(fā)明專利]載體基板及使用該載體基板制造半導體封裝件的方法

在審

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• 申請日: 2019-11-04
• 公開（公告）號: CN111162071A
• 公開（公告）日: 2020-05-15
• 發(fā)明（設計）人: 權伊億;崔益準
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L25/18
• 分類號: H01L25/18;H01L23/31;H01L21/98;H01L23/488;H01L23/485;H01L21/60
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 劉奕晴;張川緒

本發(fā)明提供一種載體基板及使用該載體基板制造半導體封裝件的方法，所述載體基板包括芯層以及至少一個單元圖案部，并且所述單元圖案部包括：第一金屬層，設置在所述芯層上；釋放層，設置在所述第一金屬層上；第二金屬層，設置在所述釋放層上；以及第三金屬層，設置在所述第二金屬層上并且覆蓋所述釋放層的側表面。

本申請要求于2018年11月8日在韓國知識產權局提交的第10-2018-0136703號韓國專利申請的優(yōu)先權的權益，所述韓國專利申請的公開內容通過其整體引用被包含于此。

技術領域

本公開涉及一種包括有機中介體的半導體封裝件。

背景技術

由于設備(set)已被設計為具有高規(guī)格和高帶寬存儲器(HBM)，因此中介體市場已經增長。通常，硅已被用作中介體的材料，但是已經研發(fā)了玻璃中介體或有機中介體以具有大面積以及降低成本。

為了響應近來的數十微米的精細墊(pad，或稱為“焊盤”)節(jié)距，已需要將芯片到芯片的精細電路線小型化到幾微米，為此，可能需要平坦度在其中被確保的載體。

另外，在使用載體制造包括中介體的半導體封裝件的工藝的情況下，中介體形成為具有面板尺寸，并且該工藝以方形尺寸執(zhí)行以提高封裝工藝的質量。然而，載體可能在按方形尺寸鋸切面板期間分離。為了解決該問題，可能需要可防止分離的設計。

發(fā)明內容

本公開的一方面提供一種基于防分離設計的載體基板，以及使用所述載體基板制造半導體封裝件的方法，這可解決在工藝期間釋放層與載體基板異常分離的問題。

根據本公開的一方面，一種載體基板包括：芯層；以及至少一個單元圖案部，并且所述單元圖案部包括：第一金屬層，設置在所述芯層上；釋放層，設置在所述第一金屬層上；以及第三金屬層，設置在所述釋放層上并且覆蓋所述釋放層的側表面。

所述載體基板還可包括；基底金屬層，設置在所述芯層和所述單元圖案部之間，并且所述基底金屬層在所述芯層上的面積大于所述單元圖案部在所述芯層上的面積。

所述基底金屬層可包括Ti組分。

所述第一金屬層可包括Cu組分。

所述第三金屬層可包括Cu組分。

所述第一金屬層和所述釋放層可具有相同的寬度。

所述第三金屬層的覆蓋所述釋放層的所述側表面的區(qū)域可與所述第一金屬層的側表面接觸。

所述釋放層可被所述第一金屬層和所述第三金屬層密封。

所述載體基板還可包括第二金屬層，所述第二金屬層設置在所述釋放層上，使得所述釋放層設置在所述第一金屬層和所述第二金屬層之間。

所述第二金屬層可包括Ti組分。

所述第一金屬層、所述釋放層和所述第二金屬層可具有相同的寬度。

所述第二金屬層的側表面可被所述第三金屬層覆蓋。

所述第三金屬層的覆蓋所述釋放層的所述側表面和所述第二金屬層的所述側表面的區(qū)域可與所述第一金屬層的側表面接觸。

所述釋放層和所述第二金屬層可被所述第一金屬層和所述第三金屬層密封。

所述芯層可以是玻璃板。