[發明專利]半導體封裝件

在審

• 申請號: 201911063807.9
• 申請日: 2019-11-04
• 公開（公告）號: CN111162068A
• 公開（公告）日: 2020-05-15
• 發明（設計）人: 張珉碩
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L23/31
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 金光軍;韓芳

1.一種半導體封裝件，包括：

連接結構，包括絕緣層、設置在所述絕緣層上的布線層以及貫穿所述絕緣層并且連接到所述布線層的連接過孔；

框架，設置在所述連接結構上并且具有一個或更多個通孔；

半導體芯片和無源組件，在所述框架的所述一個或更多個通孔中設置在所述連接結構上；

第一包封劑，覆蓋所述無源組件的至少一部分；以及

第二包封劑，覆蓋所述半導體芯片的至少一部分，

其中，所述第一包封劑的上表面和所述第二包封劑的上表面是所述第一包封劑和所述第二包封劑的背離所述連接結構的表面，并且所述第二包封劑的所述上表面定位在高于、等于或低于所述第一包封劑的所述上表面的高度處。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述第一包封劑的所述上表面和所述第二包封劑的所述上表面共面。

3.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述第二包封劑不延伸到所述第一包封劑的所述上表面上。

4.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述半導體芯片的厚度小于所述無源組件的厚度，其中，所述半導體芯片的所述厚度為從所述半導體芯片的上表面正交地測量至所述連接結構的其上設置有所述半導體芯片的表面的厚度，所述無源組件的厚度為從所述無源組件的上表面正交地測量至所述連接結構的其上設置有所述無源組件的表面的厚度。

5.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述半導體芯片和所述無源組件設置在所述一個或更多個通孔的同一通孔中。

6.根據權利要求5所述的半導體封裝件，其中，所述第一包封劑設置在所述同一通孔中以具有延伸穿過所述第一包封劑的通孔，并且

所述半導體芯片設置在延伸穿過所述第一包封劑的所述通孔中。

7.根據權利要求6所述的半導體封裝件，其中，金屬層設置在延伸穿過所述第一包封劑的所述通孔的內壁上。

8.根據權利要求7所述的半導體封裝件，其中，設置在延伸穿過所述第一包封劑的所述通孔的所述內壁上的所述金屬層延伸以覆蓋所述第一包封劑的所述上表面，并且

所述第二包封劑的所述上表面和形成在所述第一包封劑的所述上表面上的所述金屬層的上表面共面。

9.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述半導體芯片和所述無源組件設置在所述一個或更多個通孔中的不同通孔中。

10.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，金屬層設置在所述框架的所述一個或更多個通孔中的每個的內壁上。

11.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述半導體芯片被設置為使得所述半導體芯片的連接墊面向所述連接結構。

12.根據權利要求11所述的半導體封裝件，其中，所述連接結構的其上設置有所述半導體芯片的區域的厚度和所述連接結構的其上設置有所述無源組件的區域的厚度彼此不同。

13.根據權利要求12所述的半導體封裝件，其中，所述連接結構的其上設置有所述半導體芯片的所述區域的所述厚度小于所述連接結構的其上設置有所述無源組件的所述區域的所述厚度。

14.一種半導體封裝件，包括：

連接結構，包括絕緣層、設置在所述絕緣層上的布線層以及貫穿所述絕緣層并且連接到所述布線層的連接過孔；

框架，設置在所述連接結構上并且具有一個或更多個通孔；

半導體芯片和無源組件，在所述框架的所述一個或更多個通孔中設置在所述連接結構上；

第一包封劑，覆蓋所述無源組件的至少一部分；以及

第二包封劑，覆蓋所述半導體芯片的至少一部分，

其中，所述第二包封劑僅覆蓋所述第一包封劑的背離所述連接結構的上表面的一部分。