[發(fā)明專利]單電壓控制電調(diào)衰減電路和穩(wěn)幅裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911063248.1
• 申請(qǐng)日: 2019-10-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110768638B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-01-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孔偉東;常萌;王二超;王元佳;祁興群;楊楠;高顯;徐亮;薛煒民;解永康;董維佳;白曉麗
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所
• 主分類號(hào): H03G3/30
• 分類號(hào): H03G3/30
• 代理公司: 石家莊國(guó)為知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所 13120
• 代理人: 墨偉

1.一種單電壓控制電調(diào)衰減電路，其特征在于，包括：控制模塊、第一衰減模塊、第二衰減模塊和第三衰減模塊；所述控制模塊的電壓端適于與外部電源連接，所述控制模塊的第一輸出端與所述第一衰減模塊的控制端和所述第三衰減模塊的控制端均連接，所述控制模塊的第二輸出端與所述第二衰減模塊的的控制端連接；所述第一衰減模塊的輸入端和所述第二衰減模塊的輸入端均適于與外部信號(hào)發(fā)送設(shè)備連接，所述第二衰減模塊的輸出端和所述第三衰減模塊的輸入端均適于與外部信號(hào)接收設(shè)備連接；

所述控制模塊用于將接收到的外部電源的電壓轉(zhuǎn)換為預(yù)設(shè)電壓輸出給所述第一衰減模塊和所述第三衰減模塊，且根據(jù)所述外部電源的電壓向所述第二衰減模塊輸出導(dǎo)通電壓；

所述第一衰減模塊和所述第三衰減模塊在接收到所述預(yù)設(shè)電壓后控制端電壓均升高，所述第二衰減模塊用于在接收到所述導(dǎo)通電壓后控制端電壓降低；同時(shí)外部信號(hào)發(fā)送設(shè)備的射頻信號(hào)經(jīng)過(guò)所述第一衰減模塊、所述第二衰減模塊和所述第三衰減模塊得到衰減信號(hào)，所述衰減信號(hào)通過(guò)所述第二衰減模塊的輸出端輸入到外部信號(hào)接收設(shè)備。

2.如權(quán)利要求1所述的單電壓控制電調(diào)衰減電路，其特征在于，所述控制模塊包括：第一分壓電阻、第二分壓電阻、補(bǔ)償單元和控制單元；

所述第一分壓電阻的第一端作為所述控制模塊的電壓端，所述第一分壓電阻的第二端作為所述控制模塊的第一輸出端，所述第一分壓電阻的第二端還與所述第二分壓電阻的第一端連接；所述第二分壓電阻的第二端與所述控制單元的輸入端和所述補(bǔ)償單元的第一端連接；所述控制單元的輸出端也作為所述控制模塊的第二輸出端，所述控制單元的輸出端還接第二電源；所述補(bǔ)償單元的第二端與所述控制單元的輸出端連接，所述補(bǔ)償單元的第三端接地；

外部電源的電壓經(jīng)過(guò)所述第一分壓電阻為所述第一衰減模塊和所述第三衰減模塊提供預(yù)設(shè)電壓；所述控制單元根據(jù)外部電源的電壓為所述第二衰減模塊提供導(dǎo)通電壓；所述補(bǔ)償單元為所述第一衰減模塊、所述第二衰減模塊和所述第三衰減模塊提供溫度補(bǔ)償。

3.如權(quán)利要求2所述的單電壓控制電調(diào)衰減電路，其特征在于，所述補(bǔ)償單元包括：第一電阻、第二電阻和第一晶體管；

所述第一電阻的第一端作為所述補(bǔ)償單元的第一端，所述第一電阻的第二端與所述第一晶體管的柵極連接；所述第一晶體管的柵極還與所述第一晶體管的漏極連接，所述第一晶體管的漏極還與所述第二電阻的第一端連接，所述第一晶體管的源極作為所述補(bǔ)償單元的第三端；所述第二電阻的第二端作為所述補(bǔ)償單元的第二端。

4.如權(quán)利要求2所述的單電壓控制電調(diào)衰減電路，其特征在于，所述控制單元包括：第三電阻和第二晶體管；

所述第三電阻的第一端作為所述控制單元的輸入端連接，所述第三電阻的第二端與所述第二晶體管的柵極連接；所述第二晶體管的漏極作為所述控制單元的輸出端，所述第二晶體管的源極接地。

5.如權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的單電壓控制電調(diào)衰減電路，其特征在于，所述第一衰減模塊包括：第四電阻和第一晶體管組；

所述第四電阻的第一端作為所述第一衰減模塊的控制端，所述第四電阻的第二端與所述第一晶體管組的柵極連接；所述第一晶體管組的源極作為所述第一衰減模塊的輸入端，所述第一晶體管組的漏極接地。

6.如權(quán)利要求5所述的單電壓控制電調(diào)衰減電路，其特征在于，所述第一晶體管組包括：第三晶體管和第四晶體管；

所述第三晶體管的柵極和所述第四晶體管的柵極均與所述第四電阻的第二端連接；所述第三晶體管的源極作為所述第一衰減模塊的輸入端，所述第三晶體管的漏極與所述第四晶體管的源極連接；所述第四晶體管的漏極接地。

7.如權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的單電壓控制電調(diào)衰減電路，其特征在于，所述第二衰減模塊包括：第五晶體管、第五電阻和匹配阻抗；

所述第五晶體管的源極作為所述第二衰減模塊的輸入端，所述第五晶體管的源極還通過(guò)所述匹配阻抗與所述第五晶體管的漏極連接，所述第五晶體管的漏極作為所述第二衰減模塊的輸出端，所述第五晶體管的柵極與所述第五電阻的第一端連接，所述第五電阻的第二端作為所述第二衰減模塊的控制端。