[發明專利]有機發光二極管顯示面板、顯示裝置及制造方法在審
| 申請號: | 201911061390.2 | 申請日: | 2019-11-01 |
| 公開(公告)號: | CN111029371A | 公開(公告)日: | 2020-04-17 |
| 發明(設計)人: | 王雷 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 李新干 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光二極管 顯示 面板 顯示裝置 制造 方法 | ||
本申請提供一種有機發光二極管顯示面板,包括襯底基板,設置于襯底基板上的薄膜晶體管層,設置于薄膜晶體管層上的平坦化層,設置于平坦化層上的像素定義層,設置于像素定義層上的發光層;像素定義層中形成有多個凹部,發光層包括多個第一電極、多個有機發光部和第二電極層,每一第一電極和每一有機發光部層疊設置于一個凹部中,第二電極層設置于有機發光部和像素定義層上。
技術領域
本申請涉及顯示領域,尤其涉及有機發光二極管顯示面板、顯示裝置及制造方法。
背景技術
已知一種有機發光二極管裝置包括由平坦化層、陽極、像素定義層以及支撐層層疊構成的陣列結構。在這種陣列結構中,像素定義層具有高透光性,發光層的側向出光可以容易地透過像素定義層。透過了像素定義層的側向出光在面板內部被各金屬層反射并被各非金屬層折射而變為雜散光。對于包含指紋識別、面部識別等生物識別模塊的有機發光二極管產品而言,雜散光的存在降低了識別模塊的信噪比,進而使識別模塊的識別能力降低。另一方面,由于發光層的出光無差別地沿著不同方向進行,被PDL等膜層吸收和折射從而造成出光損失,最終獲得的出光效率,即外量子效率(External Quantum Efficiency,EQE)低于20%。在低出光效率下,為了獲得高亮度,不得不提高電源功率,使有機發光二極管裝置的耗電量變大,大大降低了使用壽命。
發明內容
有鑒于此,本發明目的在于提供一種能夠有效減少雜散光、提高外量子效率且延長使用壽命的有機發光二極管裝置。
一種有機發光二極管顯示面板,其特征在于,包括襯底基板,設置于所述襯底基板上的薄膜晶體管層,設置于所述薄膜晶體管層上的平坦化層,設置于所述平坦化層上的像素定義層,設置于所述像素定義層上的發光層;
所述像素定義層中形成有多個凹部,所述發光層包括多個第一電極、多個有機發光部和第二電極層,每一所述第一電極和每一所述有機發光部層疊設置于一個所述凹部中,所述第二電極層設置于所述有機發光部和所述像素定義層上。
在本申請一實施方式的有機發光二極管顯示面板中,所述第一電極包括底壁和圍繞所述底壁設置的側壁,所述底壁覆蓋所述凹部的底面,所述側壁覆蓋所述凹部的側面。
在本申請一實施方式的有機發光二極管顯示面板中,所述底壁遠離所述平坦化層的表面上形成有第一反射微結構。
在本申請一實施方式的有機發光二極管顯示面板中,所述側壁上形成有第二反射微結構。
在本申請一實施方式的有機發光二極管顯示面板中,所述平坦化層上形成有第一凹凸結構,所述底壁靠近所述平坦化層的表面上形成有第二凹凸結構,所述第一凹凸結構和所述第二凹凸結構相配合,所述第一反射微結構形成于與所述第二凹凸結構對應的位置。
在本申請一實施方式的有機發光二極管顯示面板中,所述像素定義層上形成有第三凹凸結構,所述側壁靠近所述像素定義層的表面上形成有第四凹凸結構,所述第三凹凸結構和所述第四凹凸結構相配合,所述第二反射微結構形成于與所述第三凹凸結構對應的位置。
在本申請一實施方式的有機發光二極管顯示面板中,所述第一電極的側壁的長度小于所述側面的長度,且所述有機發光部覆蓋所述第一電極。
在本申請一實施方式的有機發光二極管顯示面板中,所述第一電極的側壁的長度等于所述側面的長度,且所述有機發光部覆蓋所述第一電極。
一種有機發光二極管顯示裝置,其包括如上任一項所述的有機發光二極管顯示面板。
一種有機發光二極管顯示面板的制造方法,其包括以下步驟:
準備一襯底基板,在所述襯底基板上形成薄膜晶體管層;
在所述薄膜晶體管層上形成平坦化層;
在所述平坦化層上形成像素定義層,在所述像素定義層中開設多個凹部;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





