[發明專利]用于控制可轉印半導體結構的釋放的系統及方法

有效

• 申請號: 201911061016.2
• 申請日: 2015-06-18
• 公開（公告）號: CN110854056B
• 公開（公告）日: 2023-09-12
• 發明（設計）人: 克里斯托弗·鮑爾;馬修·邁托
• 申請（專利權）人: 艾克斯展示公司技術有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/56;H01L21/60;B81C99/00
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 劉鋒

1.一種微型裝置陣列，所述陣列包括：

源襯底，其具有工藝側；

犧牲層，其包括犧牲材料，位于所述源襯底的所述工藝側上；

多個可釋放微型物件，其至少部分地形成在所述犧牲層上；

多個錨結構，其位于所述源襯底的所述工藝側上，其中所述錨結構在不存在所述犧牲材料的情況下保持剛性附接到所述源襯底；及

多個系鏈，其中所述多個系鏈中的每一系鏈將所述多個可釋放微型物件中的一可釋放微型物件連接到所述錨結構中的一者的一部分，其中：

所述系鏈所連接到的所述錨的所述一部分橫向地分離鄰近的可釋放微型物件，每一可釋放微型物件由偏離中心地位于所述可釋放微型物件的面向錨的邊緣上的單個系鏈連接到錨，

所述源襯底是由襯底材料制成的生長襯底，所述可釋放微型物件形成在所述襯底材料上面或上方，且所述系鏈由系鏈材料制成，

所述系鏈材料與所述襯底材料是相同的材料，或者所述系鏈材料未被放置在所述可釋放微型物件與所述源襯底之間，且

所述系鏈經塑形以響應于壓力而斷裂。

2.根據權利要求1所述的陣列，其中所述多個系鏈中的每一者經定大小及塑形以在對應微型物件由彈性體印模接觸以用于從所述源襯底微轉印印刷到不同于所述源襯底的目標襯底時斷開。

3.根據權利要求1所述的陣列，其中所述犧牲材料是所述源襯底的一部分。

4.根據權利要求1所述的陣列，其中所述多個可釋放微型物件中的至少兩個或更多個由各個系鏈連接到所述多個錨結構中的每一者。

5.根據權利要求1所述的陣列，其中所述多個錨結構中的每一者由局部凹拐角或內拐角表征，且所述多個可釋放微型物件中的每一者由凸拐角或外拐角局部地表征。

6.根據權利要求1所述的陣列，其中所述多個系鏈中的每一者是寬度為10μm到40μm的系鏈。

7.根據權利要求1所述的陣列，其中所述多個系鏈中的每一者是具有狹窄形狀及1μm到5μm、5μm到10μm、10μm到15μm、15μm到20μm或20μm到40μm的寬度的系鏈。

8.根據權利要求1所述的陣列，其中所述犧牲層具有各向異性晶體結構。

9.根據權利要求1所述的陣列，其中所述犧牲層包括選自由以下各項組成的群組的材料：硅(111)、InAlP、InP、GaAs、InGaAs、AlGaAs、GaSb、GaAlSb、AlSb、InSb、InGaAlSbAs、InAlSb及InGaP。

10.根據權利要求1所述的陣列，其中所述犧牲層包括硅(111)。

11.根據權利要求1所述的陣列，其中所述系鏈中的每一者包括一或多個凹口，所述一或多個凹口在相應可釋放微型物件相對于所述錨結構移動時提供斷裂點。

12.根據權利要求1所述的陣列，其中所述源襯底包括選自由以下各項組成的群組的部件：硅、磷化銦、砷化鎵及藍寶石。

13.根據權利要求1所述的陣列，其中所述系鏈中的每一者具有大于1.732的縱橫比。

14.根據權利要求1所述的陣列，其中所述犧牲層包含InAlP。