[發明專利]背光芯片及屏幕補光電路

有效

• 申請號: 201911059608.0
• 申請日: 2019-11-01
• 公開（公告）號: CN110687954B
• 公開（公告）日: 2021-12-14
• 發明（設計）人: 孔慶河;許澤華;杜黎明;程劍濤;孫洪軍
• 申請（專利權）人: 上海艾為電子技術股份有限公司
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李偉

1.一種背光芯片，其特征在于，包括：

邏輯控制模塊、電流采樣/斜坡補償電路、誤差放大器、補償網絡模塊、升壓控制邏輯模塊、電壓選擇模塊和開關管、第一電流源、第二電流源；

所述邏輯控制模塊用于，在使能狀態下接收到控制信號時，分別向所述電流采樣/斜坡補償電路發送第一邏輯控制信號、向所述誤差放大器發送第二邏輯控制信號和向所述補償網絡模塊發送第三邏輯控制信號，所述控制信號用于在高電平時，觸發所述背光芯片進入補光模式；

所述電流采樣/斜坡補償電路用于，接收到所述第一邏輯控制信號時，對已采樣的電流信號進行斜坡補償，并將補償后得到的采樣電流信號輸入所述升壓控制邏輯模塊；

所述電壓選擇模塊用于，根據已接收到的第一反饋電壓和第二反饋電壓選擇最小電壓信號，并向所述誤差放大器輸入所述最小電壓信號；

所述誤差放大器用于，接收到所述第二邏輯控制信號時，根據所述第二邏輯控制信號調整增益，并基于調整后的增益以及接收的基準電壓信號和所述最小電壓信號，得到第一電壓信號，將所述第一電壓信號發送至所述升壓控制邏輯模塊，其中，在正常背光模式下時，所述誤差放大器的增益調整為高增益，在補光模式下時，所述誤差放大器的增益調整為低增益；

所述補償網絡模塊用于，接收到所述第三邏輯控制信號時，調整電容倍增倍數，并向所述升壓控制邏輯模塊輸入調整電容倍增倍數后得到的第二電壓信號，所述第二電壓信號用于穩定所述第一電壓信號，其中，在正常背光模式下，補償網絡調整為低電容倍增倍數，在補光模式下時，補償網絡調整為高電容倍增倍數；

所述升壓控制邏輯模塊用于，將所述補償后得到的采樣電流信號以及所述第一電壓信號進行比較，得到比較結果，并依據所述比較結果與預先獲取的振蕩器輸出的時鐘信號生成占空比信號，并向所述開關管輸入所述占空比信號；

所述開關管用于，根據所述占空比信號進行升壓，并輸出升壓后的第三電壓信號；

所述第一電流源用于，根據已接收到的第一反饋電壓，向所述邏輯控制模塊輸入第一電流信號；

所述第二電流源用于，根據已接收到的第二反饋電壓，向所述邏輯控制模塊輸入第二電流信號；

其中，所述第一電流源與所述第二電流源均用于保證輸出的電流信號為設定的電流信號值。

2.根據權利要求1所述的背光芯片，其特征在于，所述誤差放大器，包括：

第三電流源、第一開關、第二開關、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管和第四MOS管；

所述第一MOS管的柵極與所述第三MOS管的柵極相連接；

所述第一MOS管的源級分別與所述第三MOS管的漏極和所述第一開關的第一端相連接；

所述第三MOS管的源級分別與所述第一開關的第二端和所述第三電流源的第一端相連接；

所述第二MOS管的柵極與所述第四MOS管的柵極相連接；

所述第二MOS管的源級分別與所述第四MOS管的漏極以及所述第二開關的第一端相連接；

所述第四MOS管的源級分別與所述第二開關的第二端以及所述第三電流源的第一端相連接；

所述第一MOS管的漏極和所述第二MOS管的漏極作為所述誤差放大器的輸出端；

其中；

所述第一MOS管的柵極用于接收所述最小電壓信號，所述第二MOS管的柵極用于接收所述基準電壓信號；

或，

所述第一MOS管的柵極用于接收所述基準電壓信號，所述第二MOS管的柵極用于接收所述最小電壓信號。