[發明專利]硅片加工方法、刻槽主輥和切片設備

在審

• 申請號: 201911059302.5
• 申請日: 2019-11-01
• 公開（公告）號: CN112776195A
• 公開（公告）日: 2021-05-11
• 發明（設計）人: 郭慶紅;李飛龍;熊震;朱軍
• 申請（專利權）人: 蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司;洛陽阿特斯光伏科技有限公司;阿特斯光伏電力（洛陽）有限公司
• 主分類號: B28D5/04
• 分類號: B28D5/04;B28D7/00
• 代理公司: 北京景聞知識產權代理有限公司 11742
• 代理人: 盧春燕

1.一種硅片加工方法，其特征在于，包括：

獲取多晶硅棒的紅外圖像；

根據所述紅外圖像確定所述多晶硅棒中雜質點的位置和尺寸；

根據所述雜質點的位置，將所述多晶硅棒中尺寸大于預設尺寸的雜質點切除；

將所述多晶硅棒進行粘結以形成待切割硅棒；

對所述待切割硅棒進行金剛線切割，以獲得硅片。

2.根據權利要求1所述的硅片加工方法，其特征在于，將所述多晶硅棒進行粘結以形成待切割棒，包括：

根據多晶硅棒的雜質點進行分類，以獲得包含小于預設尺寸的雜質點的第一類多晶硅棒和無雜質點的第二類多晶硅棒；

將所述第一類多晶硅棒進行粘接，以及，將所述第二類多晶硅棒進行粘接。

3.根據權利要求2所述的硅片加工方法，其特征在于，所述第一類多晶硅棒粘接成的待切割棒中的雜質點靠近切割線網平面側。

4.根據權利要求1-3任一項所述的硅片加工方法，其特征在于，所述方法還包括：

將所述硅片放入花籃；

對所述花籃中的硅片進行清洗，其中，根據所述硅片的厚度調整清洗水壓。

5.根據權利要求4所述的硅片加工方法，其特征在于，所述方法還包括：

對所述硅片進行分選，其中，采用皮帶式傳輸所述硅片。

6.一種刻槽主輥，其特征在于，用于權利要求1中的金剛線切割，所述刻槽主輥包括主輥本體，所述主輥本體上設置有刻槽，沿所述主輥本體的軸向，所述主輥本體上刻槽的槽距逐漸減小。

7.根據權利要求6所述的刻槽主輥，其特征在于，所述刻槽的槽底呈圓弧形，且所述槽底的半徑值等于金剛線的直徑值減去3-5μm。

8.根據權利要求6或7所述的刻槽主輥，其特征在于，所述刻槽的槽深取值在230-280μm之間。

9.根據權利要求6所述的刻槽主輥，其特征在于，所述刻槽呈V型，所述刻槽的夾角取值設置在25°-35°。

10.一種切片設備，其特征在于，包括放線輪、收線輪和兩個權利要求6-9任一項所述的刻槽主輥，所述放線輪用于補給金剛線至兩個所述刻槽主輥上，所述收線輪用于收取所述刻槽主輥的輸出線，所述刻槽主輥的新線補給側刻槽的槽距大于輸出線側刻槽的槽距。

11.根據權利要求10所述的切片設備，其特征在于，所述金剛線的母線直徑設置在45-65μm，所述金剛線的金剛石顆粒粒徑范圍為5-10μm。

12.根據權利要求10所述的切片設備，其特征在于，所述金剛線的出刃率取值范圍在150-350顆/mm之間，所述金剛線的出刃高度取值范圍4.5-6.5μm之間。