[發(fā)明專利]顯示設備在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911058339.6 | 申請日: | 2019-11-01 |
| 公開(公告)號: | CN111146248A | 公開(公告)日: | 2020-05-12 |
| 發(fā)明(設計)人: | 金泰坤;李晟熏;金志桓;田信愛;鄭得錫 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社;三星顯示有限公司;三星SDI株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 張波 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 設備 | ||
1.一種顯示設備,包括
光源,包括
第一電極,具有大于或等于60%的針對第一光的光反射率,
有機發(fā)光層,設置在所述第一電極上并且發(fā)射所述第一光,和
第二電極,設置在所述有機發(fā)光層上并且具有大于或等于70%的在可見波長區(qū)域中的光透射率,
其中,相對于55度至85度的視角,所述光源在650nm至750nm的波長區(qū)域中具有第一吸收峰或者在550nm至600nm的波長區(qū)域中具有第二吸收峰;以及
濾色器層,設置在所述光源上,并且包括用于將所述第一光轉換成第二光的量子點。
2.根據(jù)權利要求1所述的顯示設備,其中所述光源在大于0度且小于或等于40度的視角下呈現(xiàn)出小于或等于20%的輻射減少率。
3.根據(jù)權利要求1所述的顯示設備,其中所述第二光的中心波長小于所述第一吸收峰的中心波長。
4.根據(jù)權利要求1所述的顯示設備,其中所述光源相對于所述第二光的有效吸收率小于或等于20%。
5.根據(jù)權利要求1所述的顯示設備,其中所述第二光的中心波長小于所述第二吸收峰的中心波長。
6.根據(jù)權利要求1所述的顯示設備,其中所述濾色器層還包括用于將所述第一光轉換成不同于所述第二光的第三光的量子點,
所述第二光的中心波長小于所述第一吸收峰的中心波長,以及
所述第三光的中心波長小于所述第二吸收峰的中心波長。
7.根據(jù)權利要求1所述的顯示設備,其中所述第一光具有在440nm至550nm的波長區(qū)域中的中心波長。
8.根據(jù)權利要求1所述的顯示設備,其中所述第一電極包括銀(Ag)、鋁(Al)、鎵(Ga)、銦(In)、金(Au)、鉑(Pt)、鎳(Ni)、鎢(W)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鐵(Fe)、鈷(Co)、銅(Cu)、鈀(Pd)、鈦(Ti)、銦錫氧化物(ITO)或其組合。
9.根據(jù)權利要求1所述的顯示設備,其中所述量子點包括II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族化合物、II-III-VI族化合物、I-II-IV-VI族化合物或其組合。
10.根據(jù)權利要求1所述的顯示設備,其中所述濾色器層還包括光散射材料。
11.根據(jù)權利要求1所述的顯示設備,其中
第一像素區(qū)至第三像素區(qū)分別被限定在所述有機發(fā)光層中,以及
所述第一像素區(qū)至所述第三像素區(qū)中的每個發(fā)射所述第一光。
12.根據(jù)權利要求1所述的顯示設備,其中
第一像素區(qū)至第三像素區(qū)分別被限定在所述有機發(fā)光層中,以及
所述濾色器層包括分別形成在與所述第一像素區(qū)至所述第三像素區(qū)重疊的位置處的第一濾色器至第三濾色器。
13.根據(jù)權利要求12所述的顯示設備,其中所述第二濾色器包括將所述第一光轉換成所述第二光的所述量子點,以及
所述第三濾色器包括將所述第一光轉換成不同于所述第二光的第三光的量子點。
14.根據(jù)權利要求1所述的顯示設備,其中所述顯示設備還包括光聚焦層,所述光聚焦層設置在所述第二電極和所述濾色器層之間,并且將從所述有機發(fā)光層發(fā)射的所述第一光聚焦到所述濾色器層中。
15.根據(jù)權利要求14所述的顯示設備,其中所述光聚焦層包括凸透鏡、微棱鏡、平面透鏡、菲涅耳透鏡、超材料或其組合。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于三星電子株式會社;三星顯示有限公司;三星SDI株式會社,未經(jīng)三星電子株式會社;三星顯示有限公司;三星SDI株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201911058339.6/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





