[發明專利]一種像素結構及其渲染方法、顯示裝置在審
| 申請號: | 201911058249.7 | 申請日: | 2019-10-31 |
| 公開(公告)號: | CN110690266A | 公開(公告)日: | 2020-01-14 |
| 發明(設計)人: | 晏細蘭;石坤泉 | 申請(專利權)人: | 廣州番禺職業技術學院 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G09G3/20 |
| 代理公司: | 44202 廣州三環專利商標代理有限公司 | 代理人: | 郭浩輝;麥小嬋 |
| 地址: | 510000 廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 子像素 交替排列 像素結構 循環周期 子像素列 列方向 像素 產品壽命 高分辨率 幾何中心 亮度水平 位置互換 顯示裝置 中心連線 開口率 奇偶 渲染 | ||
本發明公開了一種像素結構,包括第一子像素、第二子像素和第三子像素;其中,所述第一子像素在列方向上排列成第一子像素列,所述第二子像素和所述第三子像素在列方向上交替排列,所述第二子像素和所述第三子像素形成的列與所述第一子像素列按照一比二的數量交替排列;所述第二子像素或所述第三子像素的幾何中心處于與其相鄰的任意兩個所述第一子像素的中心連線的中線上;四個所述第一子像素和一個所述第二子像素和一個所述第三子像素組成的一個最小子像素循環周期單元,且在行方向上,奇偶最小子像素循環周期中,第二子像素和第三子像素的位置互換。本發明提供了一種像素結構及其渲染方法、顯示裝置,能夠提高子像素的開口率,實現高分辨率,而且有利于保持較好的亮度水平和延長產品壽命。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其是涉及一種像素結構及其渲染方法、顯示裝置。
背景技術
常用的平板顯示裝置通常包括LCD(LiquidCrystalDisplay:液晶顯示裝置)和OLED(OrganicLight-EmittingDiode:有機發光二極管)顯示裝置。尤其是OLED顯示裝置,與LCD相比具有自發光、響應速度快、寬視角等諸多優點,適用于柔性顯示、透明顯示、VR超高PPI顯示。
目前,在頂發射有源矩陣有機發光二極管(AMOLED)面板的制備工藝中,通常采用高精度金屬掩模板(FineMetalMask,簡稱FMM)通過蒸鍍工藝蒸鍍形成有機發光層。其中,FMM一般有最小開口的限制,蒸鍍工藝中不同顏色的子像素有開口間距的限制,因此制備AMOLED不可避免地受到FMM開口以及蒸鍍工藝精度的限制。由于子像素的低開口率,使得實現高分辨率較為困難,甚至會影響產品的壽命、亮度。
發明內容
針對上述技術問題,本發明提供了一種像素結構及其渲染方法、顯示裝置,能夠提高子像素的開口率,實現高分辨率,而且有利于保持較好的亮度水平和延長產品壽命。所述技術方案如下:
本發明實施例提供了一種像素結構,包括第一子像素、第二子像素和第三子像素;
所述第一子像素在行方向上排列成第一子像素行,所述第二子像素和所述第三子像素在行方向上交替排列,所述第一子像素行與所述第二子像素和所述第三子像素形成的行交替排列;
所述第一子像素在列方向上排列成第一子像素列,所述第二子像素和所述第三子像素在列方向上交替排列,所述第二子像素和所述第三子像素形成的列與所述第一子像素列按照一比二的數量交替排列;所述第二子像素或所述第三子像素的幾何中心處于與其相鄰的任意兩個所述第一子像素的中心連線的中線上;
四個所述第一子像素和一個所述第二子像素和一個所述第三子像素組成的一個最小子像素循環周期單元,且在行方向上,奇偶最小子像素循環周期中,第二子像素和第三子像素的位置互換。
作為優選方案,連續行、連續列的所述第二子像素的幾何中心在不同于行方向或列方向的斜向方向排成一斜線;連續行、連續列的所述第三子像素的幾何中心在不同于行方向或列方向的斜向方向排成一斜線;所述連續行、連續列的所述第二子像素的幾何中心在不同于行方向或列方向的斜向方向排成的斜線和所述連續行、連續列的所述第三子像素的幾何中心在不同于行方向或列方向的斜向方向排成的斜線按照斜線的垂直方向交替排列。
作為優選方案,連續行、連續列的所述第一子像素的幾何中心在不同于行方向或列方向的斜向方向排成一斜線;
其中,所述第一子像素所形成斜線的斜向方向為行方向或列方向順時針旋轉45度或者逆時針旋轉45度的方向;所述第二子像素或第三子像素所形成斜線的斜向方向為行方向或列方向順時針旋轉26.57度或者逆時針旋轉26.57度的方向。
作為優選方案,連續行、連續列的所述第一子像素的幾何中心在不同于行方向或列方向的斜向方向上,對稱分布在所述連續行、連續列的所述第二子像素或所述第三子像素的幾何中心在不同于行方向或列方向的斜向方向排成的斜線的兩側。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





