[發明專利]一種優品質因數橫向雙擴散金屬氧化物半導體器件有效
| 申請號： | 201911058197.3 | 申請日： | 2019-10-31 |
| 公開（公告）號： | CN110808287B | 公開（公告）日： | 2023-10-17 |
| 發明（設計）人： | 劉斯揚;楊玲;葉然;盧麗;王琪朝;孫偉鋒;時龍興 | 申請（專利權）人： | 東南大學 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 214135 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 品質因數 橫向 擴散 金屬 氧化物 半導體器件 | ||
1.一種優品質因數橫向雙擴散金屬氧化物半導體器件，包括：P型襯底(1)，在P型襯底(1)的上方設有N型區(2)，在N型區(2)的上方有P型體區(4)和N型漂移區(3)，在P型體區(4)內設有N型源區(5)和P型區(7)，在N型漂移區(3)內設有N型漏區(6)，在N型漏區(6)、N型源區(5)和P型區(7)上分別設有漏極金屬接觸(10)、源極金屬接觸(11)和體區金屬接觸(12)，在N型區(2)的上方設有柵氧化層(8)，并且所述柵氧化層(8)的一端始于N型源區(5)，另一端向N型漏區(6)延伸進入N型源區(3)的上方，在柵氧化層(8)的上方覆蓋有多晶硅柵場板(9)，在柵氧化層(8)與N型漏區(6)之間設有場氧層(14)，且所述場氧層(14)設在N型漂移區(3)上，在場氧層(14)上方設有源級場板，其特征在于，所述源級場板由一排相互間隔排列且相抵的低位源級場板(13B)和高位源級場板(13A)組成，在高位源級場板(13A)的下方設有由場氧層(14)局部上突形成的厚場氧層(14A)，所述厚場氧層(14A)抬高高位源級場板(13A)，并使高位源級場板(13A)與N型漂移區(3)之間的距離大于低位源級場板(13B)與N型漂移區(3)之間的距離。
2.根據權利要求1所述的一種優品質因數橫向雙擴散金屬氧化物半導體器件，其特征在于，高位源級場板(13A)至N型漂移區(3)的距離與低位源級場板(13B)至N型漂移區(3)的距離之比為2∶1。
3.根據權利要求1所述的一種優品質因數橫向雙擴散金屬氧化物半導體器件，其特征在于，位于高位源級場板(13A)下方的N型漂移區部分(3A)的濃度大于低位源級場板(13B)下方的N型漂移區部分(3B)的濃度。
4.根據權利要求3所述的一種優品質因數橫向雙擴散金屬氧化物半導體器件，其特征在于，高位源級場板(13A)下方的N型漂移區部分(3A)的濃度范圍為5e15～8.5e15。
5.根據權利要求3所述的一種優品質因數橫向雙擴散金屬氧化物半導體器件，其特征在于，低位源級場板(13B)下方的N型漂移區部分(3B)的濃度為3e14～65e14。
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