[發明專利]芳香族底層

在審

• 申請號: 201911057209.0
• 申請日: 2019-10-31
• 公開（公告）號: CN111142328A
• 公開（公告）日: 2020-05-12
• 發明（設計）人: 劉盛;J·F·卡梅倫;山田晉太郎;I-S·科;張可人;D·格林;P·J·拉博姆;崔莉;S·M·科利
• 申請（專利權）人: 羅門哈斯電子材料有限責任公司
• 主分類號: G03F7/00
• 分類號: G03F7/00;G03F7/11;G03F7/09;C08F38/00;C07C39/21;C07C39/225;C07C43/215;C07C43/295;C07C69/157;C07C25/24;C07C211/50
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 陳哲鋒;胡嘉倩

1.一種方法，其包括：(a)提供電子裝置襯底；(b)將包含一種或多種可固化化合物的涂層組合物層涂覆在所述電子裝置襯底的表面上，其中所述一種或多種可固化化合物包含選自C_5-6芳環和C_9-30稠合芳環體系的芳核和三個或更多個具有式(1)的取代基

其中至少兩個具有式(1)的取代基附接到所述芳核；并且其中Ar¹是具有5至30個碳的芳環或稠合芳環體系；Z是選自以下項的取代基：OR¹、受保護的羥基、羧基、受保護的羧基、SR¹、受保護的硫醇基、-O-C(＝O)-C_1-6-烷基、鹵素、和NHR²；每個R¹選自H、C_1-10烷基、C_2-10不飽和烴基、和C_5-30芳基；每個R²選自H、C_1-10烷基、C_2-10不飽和烴基、C_5-30芳基、C(＝O)-R¹、和S(＝O)₂-R¹；x是1至4的整數；并且*表示與所述芳核的附接點；(c)將所述可固化化合物的層固化以形成底層；(d)將光致抗蝕劑層涂覆在所述底層上；(e)通過掩模將所述光致抗蝕劑層暴露于光化輻射；(f)使暴露的光致抗蝕劑層顯影以形成抗蝕劑圖案；以及(g)將所述圖案轉移至所述底層以暴露所述電子裝置襯底的一部分。

2.如權利要求1所述的方法，其進一步包括將所述襯底圖案化；以及然后去除所述圖案化的底層的步驟。

3.如權利要求1所述的方法，其進一步包括在步驟(d)之前將含硅層、有機減反射涂層及其組合中的一個或多個涂覆在所述底層上的步驟。

4.如權利要求3所述的方法，其進一步包括在步驟(f)之后并且在步驟(g)之前，將所述圖案轉移到所述含硅層、所述有機減反射涂層及其組合中的一個或多個上的步驟。

5.如權利要求1所述的方法，其中每個Z獨立地選自OR¹、受保護的羥基、羧基、受保護的羧基、SH、氟和NHR²。

6.如權利要求1所述的方法，其中芳核選自吡啶、苯、萘、喹啉、異喹啉、蒽、菲、芘、蔻、苯并菲、非那烯、苯并[a]蒽、二苯并[a,h]蒽、和苯并[a]芘。

7.如權利要求1所述的方法，其中每個Ar¹獨立地選自吡啶、苯、萘、喹啉、異喹啉、蒽、菲、芘、蔻、苯并菲、非那烯、苯并[a]蒽、二苯并[a,h]蒽、和苯并[a]芘。

8.如權利要求1所述的方法，其中所述涂層組合物進一步包含有機溶劑、固化劑、和表面流平劑中的一種或多種。