[發明專利]用于現場測試總線功能模塊的熱插拔系統及方法有效
| 申請號： | 201911055898.1 | 申請日： | 2019-10-31 |
| 公開（公告）號： | CN110780626B | 公開（公告）日： | 2020-11-06 |
| 發明（設計）人： | 朱利文;陳盼輝;劉明輝;金傳喜;張龍飛;毛偉 | 申請（專利權）人： | 中國人民解放軍海軍工程大學 |
| 主分類號： | G05B19/042 | 分類號： | G05B19/042 |
| 代理公司： | 武漢開元知識產權代理有限公司 42104 | 代理人： | 劉志菊;李滿 |
| 地址： | 430000 *** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 現場 測試 總線 功能模塊 熱插拔 系統 方法 | ||
1.一種用于現場測試總線功能模塊的熱插拔系統，其特征在于：它包括控制器(1)和現場測試總線功能模塊的熱插拔單元(3)，所述現場測試總線功能模塊的熱插拔單元(3)包括MCU(3.1)、輸出電壓監測模塊(3.2)、MOSFET驅動模塊(3.3)、輸入電流監測模塊(3.4)和MOSFET管(3.5)，控制器(1)用于通過現場測試總線(2)接通控制器(1)與MCU(3.1)之間的狀態監測線vsm，使控制器(1)與MCU(3.1)之間進行MCU(3.1)接入狀態信息通信及MCU(3.1)身份識別；
控制器(1)還用于通過現場測試總線(2)向MOSFET驅動模塊(3.3)輸送MOSFET接通的控制信號；
MOSFET驅動模塊(3.3)的源極電壓輸出端連接MOSFET管(3.5)的源極，MOSFET驅動模塊(3.3)的柵極電壓輸出端連接MOSFET管(3.5)的柵極，MOSFET管(3.5)的漏極用于向現場測試總線功能模塊(3.6)供電，輸出電壓監測模塊(3.2)用于監測現場測試總線功能模塊(3.6)的供電電壓，并將該供電電壓反饋給MCU(3.1)，輸入電流監測模塊(3.4)用于檢測通過現場測試總線(2)輸入到MOSFET管(3.5)源極的輸入電流，并將該輸入電流反饋給MCU(3.1)；
所述MCU(3.1)用于將接收到的輸入電流監測值vOCP和現場測試總線功能模塊(3.6)的供電電壓監測值vOS分別與MCU(3.1)內部存儲的電壓閾值和電流閾值進行比較，一旦出現輸入電流監測值vOCP過流和/或現場測試總線功能模塊(3.6)的供電電壓監測值vOS欠壓或過壓，MCU(3.1)將把異常信息傳送給控制器(1)，從而使控制器(1)發送MOSFET斷開的MOSFET控制信號vmosdrv，MOSFET驅動模塊(3.3)接收到MOSFET斷開信號，將配置相應的源極電壓vs和柵極電壓vg，使MOSFET管(3.5)關閉，斷開對現場測試總線功能模塊(3.6)的供電。
2.根據權利要求1所述的用于現場測試總線功能模塊的熱插拔系統，其特征在于：所述MCU(3.1)的電源輸入端連接上拉電阻R1的一端，上拉電阻R1的另一端連接在位檢測電源，非自鎖開關K1的一端連接上拉電阻R1的一端。
3.根據權利要求1所述的用于現場測試總線功能模塊的熱插拔系統，其特征在于：輸入電流監測模塊(3.4)通過采樣電阻RSNS監測MOSFET管(3.5)源極的輸入電流。
4.根據權利要求1所述的用于現場測試總線功能模塊的熱插拔系統，其特征在于：所述MOSFET管(3.5)的源極連接二極管D1的負極，MOSFET管(3.5)的漏極連接二極管D1的正極。
5.根據權利要求1所述的用于現場測試總線功能模塊的熱插拔系統，其特征在于：所述MOSFET管(3.5)為采用P溝道MOSFET管。
6.根據權利要求2所述的用于現場測試總線功能模塊的熱插拔系統，其特征在于：所述控制器(1)的熱插拔單元在位檢測接口vsb2通過現場測試總線(2)連接非自鎖開關K1的另一端，熱插拔單元在位檢測接口vsb2還通過上拉電阻R2接入在位檢測電源，非自鎖開關K1的另一端還通過現場測試總線(2)接地GND，控制器模塊的接地端也接地GND。
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