[發明專利]集成電路在審
| 申請號： | 201911055814.4 | 申請日： | 2019-10-31 |
| 公開（公告）號： | CN111129014A | 公開（公告）日： | 2020-05-08 |
| 發明（設計）人： | 王柏鈞;江庭瑋;莊惠中;張玉容 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/092 | 分類號： | H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金國 |
| 地址： | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 集成電路 | ||
【權利要求書】：
1.一種集成電路，其特征在于，包含：
一第一主動區域及一第二主動區域，在一基板中，該第一主動區域及該第二主動區域在一第一方向上彼此分離，并且位于一第一層上；
一第三主動區域，在該基板中，該第三主動區域位于該第一層上并且在與該第一方向不同的一第二方向上與該第二主動區域分離；
一第一觸點，在該第二方向上延伸、重疊該第一主動區域、并且位于與該第一層不同的一第二層上；以及
一第二觸點，在該第一方向及該第二方向上延伸、重疊該第一觸點及該第三主動區域、電氣耦接到該第一觸點、并且位于與該第一層及該第二層不同的一第三層上。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
