[發明專利]微發光元件陣列基板、制備方法以及轉移方法

有效

• 申請號: 201911055698.6
• 申請日: 2019-10-31
• 公開（公告）號: CN112750851B
• 公開（公告）日: 2023-01-20
• 發明（設計）人: 郭恩卿;李慶;王程功;田文亞
• 申請（專利權）人: 成都辰顯光電有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L21/67;H01L33/00
• 代理公司: 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258
• 代理人: 娜拉

1.一種微發光元件陣列基板，其特征在于，包括：

襯底；

微發光二極管芯片，呈陣列分布在所述襯底上，所述微發光二極管芯片包括疊層結構以及至少一個電極，所述疊層結構包括沿背離所述襯底的方向層疊設置的第一半導體層、量子阱層、第二半導體層以及導電層，所述至少一個電極設置在所述疊層結構背離所述襯底的一側，所述微發光二極管芯片背離所述襯底的表面為連接面；

犧牲層，設置在所述連接面上，所述犧牲層包括至少一個第一開口；

隔離層，至少部分所述隔離層設置在所述犧牲層背離所述微發光二極管芯片的一側，其中所述隔離層填充所述第一開口，且所述隔離層在所述第一開口處形成連接結構，所述連接結構與所述微發光二極管芯片直接接觸，所述連接結構在所述連接面上的正投影位于所述連接面的中心和/或邊緣。

2.根據權利要求1所述的微發光元件陣列基板，其特征在于，所述連接結構的數量為1個至5個。

3.根據權利要求2所述的微發光元件陣列基板，其特征在于，所述連接結構在所述連接面上正投影的總面積為所述連接面面積的1/15~1/5。

4.根據權利要求1所述的微發光元件陣列基板，其特征在于，所述連接結構的數量為兩個以上，在所述連接面的正投影位于所述連接面邊緣的連接結構相互對稱。

5.根據權利要求1至4任一項所述的微發光元件陣列基板，其特征在于，所述疊層結構包括背離所述襯底一側的第一表面和環繞所述第一表面的側壁，所述微發光二極管芯片還包括鈍化層，所述鈍化層設置在所述疊層結構的所述側壁、以及所述第一表面與所述犧牲層之間；

其中，所述電極貫穿所述鈍化層。

6.根據權利要求1至4任一項所述的微發光元件陣列基板，其特征在于，沿背離所述襯底的方向，所述第一開口在平行于所述微發光元件陣列基板平面方向的橫截面面積遞增。

7.一種微發光元件陣列基板的制備方法，包括：

提供襯底；

在所述襯底上形成微發光二極管芯片，所述微發光二極管芯片背離所述襯底的表面為連接面；

在所述連接面形成圖案化的犧牲層，所述犧牲層包括至少一個第一開口；

在所述犧牲層背離所述微發光二級管芯片的一側形成隔離層，所述隔離層填充所述第一開口，且所述隔離層在所述第一開口處形成連接結構，所述連接結構與所述微發光二極管芯片直接接觸，所述連接結構在所述連接面上的正投影位于所述連接面的中心和/或邊緣。

8.一種微發光二極管芯片的轉移方法，其特征在于，包括：

提供根據權利要求1至6任一項所述的微發光元件陣列基板；

將所述微發光元件陣列基板的所述隔離層與臨時基板連接；

剝離所述襯底；

去除所述犧牲層，使得部分所述連接面與所述隔離層分離且使所述微發光二極管芯片通過所述連接結構與所述臨時基板連接。

9.根據權利要求8所述的微發光二極管芯片的轉移方法，其特征在于，所述去除所述犧牲層后還包括：

通過傳送頭拾取所述微發光二極管芯片，使得所述連接結構與所述微發光二極管芯片分離；

將所述傳送頭定位于接收基板上，釋放所述微發光二極管芯片，使得所述微發光二極管芯片與接收基板連接。