[發(fā)明專利]化合物、顯示面板以及顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911055616.8 | 申請日: | 2019-10-31 |
| 公開(公告)號: | CN110746413B | 公開(公告)日: | 2021-11-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 肖文靜;高威;代文朋;張磊;牛晶華;林沙 | 申請(專利權(quán))人: | 武漢天馬微電子有限公司;武漢天馬微電子有限公司上海分公司 |
| 主分類號: | C07D409/10 | 分類號: | C07D409/10;C07D409/14;C07D413/14;C07D519/00;C07F5/02;C07F7/08;C07F9/6558;C07F9/6574;C07F9/6596;C09K11/06;H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司: | 北京匯思誠業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11444 | 代理人: | 馮偉 |
| 地址: | 430205 湖北省武*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 化合物 顯示 面板 以及 顯示裝置 | ||
本發(fā)明涉及OLED技術(shù)領(lǐng)域并提供具有星形結(jié)構(gòu)的TADF化合物,其結(jié)構(gòu)如化學(xué)式1所示;其中,D1和D2表示給電子基團(tuán),A1和A2表示受電子基團(tuán),m、n、p、q各自獨(dú)立地選自1、2、3;D1、D2、A1和A2分別連接到與化學(xué)式1中的芳雜環(huán)連接的苯環(huán)上;D1和D2主要各自獨(dú)立地選自咔唑類基團(tuán)、二苯胺類基團(tuán)、吖啶基類基團(tuán)中的至少一種;A1和A2各自獨(dú)立地選自含氮雜環(huán)類取代基、含氰基類取代基、含羰基類取代基、砜類取代基和含磷氧基類取代基。本發(fā)明的化合物既具有分子內(nèi)的、沿化學(xué)鍵的電荷轉(zhuǎn)移效應(yīng),又可以通過D和A在空間的位置形成空間電荷轉(zhuǎn)移作用,適于作為雙極性主體材料或者TADF材料。本發(fā)明還提供一種包括所述化合物的顯示面板和顯示裝置。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及OLED技術(shù)領(lǐng)域,具體地涉及一種新型的星形芳雜環(huán)化合物以及包含該化合物的顯示面板和顯示裝置。
背景技術(shù)
隨著電子顯示技術(shù)的發(fā)展,有機(jī)發(fā)光器件(OLED)廣泛應(yīng)用于各種顯示設(shè)備中。特別是近幾年來,智能手機(jī)行業(yè)對OLED的需求不斷增大,對OLED的發(fā)光材料的研究和應(yīng)用也日益增多。
根據(jù)發(fā)光機(jī)制,用于OLED發(fā)光層的材料主要包括以下四種:
(1)熒光材料;(2)磷光材料;(3)三線態(tài)-三線態(tài)湮滅(TTA)材料0;(4)熱活化延遲熒光(TADF)材料。
對于熒光材料,根據(jù)自旋統(tǒng)計(jì),激子中單線態(tài)和三線態(tài)激子的比例是1:3,所以熒光材料最大內(nèi)量子產(chǎn)率不超過25%。依據(jù)朗伯發(fā)光模式,光取出效率為20%左右,因此基于熒光材料的OLED的外量子效應(yīng)(EQE)不超過5%。
對于磷光材料,磷光材料由于重原子效應(yīng),可以通過自旋偶合作用,加強(qiáng)分子內(nèi)部系間竄越,可以直接利用75%的三線態(tài)激子,從而實(shí)現(xiàn)在室溫下S1和T1共同參與的發(fā)射,理論最大內(nèi)量子產(chǎn)率可達(dá)100%。依據(jù)朗伯發(fā)光模式,光取出效率為20%左右,因此基于磷光材料的OLED的外量子效應(yīng)可以達(dá)到20%。但是,磷光材料基本為Ir、Pt、Os、Re、Ru等重金屬配合物,生產(chǎn)成本較高,不利于大規(guī)模生產(chǎn)。在高電流密度下,磷光材料存在嚴(yán)重的效率滾降現(xiàn)象,同時(shí)磷光器件的穩(wěn)定性并不好。
對于三線態(tài)-三線態(tài)湮滅(TTA)材料,兩個(gè)相鄰的三線態(tài)激子,復(fù)合生成一個(gè)更高能級的單線激發(fā)態(tài)分子和一個(gè)基態(tài)分子,但是兩個(gè)三線態(tài)激子產(chǎn)生一個(gè)單線態(tài)激子,所以理論最大內(nèi)量子產(chǎn)率只能達(dá)到62.5%。為了防止產(chǎn)生較大的效率滾降現(xiàn)象,在這個(gè)過程中三線態(tài)激子的濃度需要調(diào)控。
對于熱激活延遲熒光(TADF)材料,當(dāng)單線激發(fā)態(tài)和三線激發(fā)態(tài)的能級差較小時(shí),分子內(nèi)部發(fā)生反向系間竄越(RISC),T1態(tài)激子通過吸收環(huán)境熱上轉(zhuǎn)換到S1態(tài),可以同時(shí)利用75%的三線態(tài)激子和25%的單線態(tài)激子,理論最大內(nèi)量子產(chǎn)率可達(dá)100%。TADF材料主要為有機(jī)化合物,不需要稀有金屬元素,生產(chǎn)成本低。TADF材料可以通過多種方法進(jìn)行化學(xué)修飾。TADF材料相對于傳統(tǒng)的OLED發(fā)光材料具有諸多的優(yōu)勢,但目前已發(fā)現(xiàn)的TADF材料較少,因此亟待開發(fā)新型的可用于OLED的TADF材料。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本發(fā)明提供一種具有熱活化延遲熒光(TADF)性質(zhì)的化合物,所述化合物具有化學(xué)式1所示的結(jié)構(gòu):
其中,X選自S或-(R1)Si(R2)-,R1和R2各自獨(dú)立地選自C6-C40的芳基、C4-C40的雜芳基;
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