[發明專利]顯示模組和顯示裝置

有效

• 申請號: 201911054304.5
• 申請日: 2019-10-31
• 公開（公告）號: CN110750020B
• 公開（公告）日: 2022-10-18
• 發明（設計）人: 劉冰萍;吳曉曉;陳國照
• 申請（專利權）人: 廈門天馬微電子有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G06V40/13;G06V10/14
• 代理公司: 北京匯思誠業知識產權代理有限公司 11444
• 代理人: 張育英

1.一種顯示模組，其特征在于，包括：

多個子像素，多個所述子像素沿第一方向和第二方向陣列排布，所述第一方向與所述第二方向交叉；

陣列基板，所述陣列基板包括襯底基板和指紋識別單元，所述指紋識別單元包括感光半導體層；沿所述第二方向，所述感光半導體層在所述襯底基板所在平面的正投影位于相鄰兩個所述子像素之間；

所述陣列基板還包括第一遮光層，所述第一遮光層位于所述感光半導體層靠近所述襯底基板的一側，所述第一遮光層在所述感光半導體層所在平面的正投影完全覆蓋所述感光半導體層；所述第一遮光層沿所述第一方向的長度大于等于相鄰兩個所述子像素沿所述第一方向的長度之和；

所述陣列基板還包括遮光結構，所述遮光結構位于所述第一遮光層遠離所述襯底基板的一側；

所述遮光結構在所述襯底基板所在平面的正投影與所述第一遮光層在所述襯底基板所在平面的正投影至少部分交疊；

所述陣列基板還包括柵極金屬層、源漏金屬層、緩沖層、柵極絕緣層和層間絕緣層；所述緩沖層位于所述第一遮光層遠離所述襯底基板的一側，所述柵極絕緣層位于所述緩沖層遠離所述襯底基板的一側，所述柵極金屬層位于所述柵極絕緣層遠離所述襯底基板的一側，所述層間絕緣層位于所述柵極金屬層遠離所述襯底基板的一側，所述源漏極金屬層位于所述層間絕緣層遠離所述襯底基板的一側；

所述柵極絕緣層和所述層間絕緣層包括第一過孔，所述感光半導體層位于所述第一過孔內；

所述陣列基板還包括第二遮光層，所述第二遮光層位于所述源漏金屬層遠離所述襯底基板的一側；所述源漏金屬層和所述第二遮光層之間還包括平坦化層；

所述第二遮光層包括鏤空部，在所述襯底基板所在平面的方向上，所述鏤空部與所述感光半導體層至少部分重疊；

所述遮光結構包括第一遮光結構和第二遮光結構，所述第一遮光結構與所述感光半導體層在所述襯底基板所在平面的正投影沿所述第一方向排布，所述第二遮光結構與所述感光半導體層在所述襯底基板所在平面的正投影沿所述第二方向排布；

所述第一遮光結構至少貫穿所述層間絕緣層和所述柵極絕緣層，或者至少貫穿所述柵極絕緣層和所述緩沖層；

所述第二遮光結構至少貫穿所述第二遮光層和所述緩沖層之間的所有膜層。

2.根據權利要求1所述的顯示模組，其特征在于，

所述第一遮光層在所述感光半導體層所在平面的正投影的邊緣與所述感光半導體層的邊緣之間的最短距離d滿足d＞6.5μm。

3.根據權利要求1所述的顯示模組，其特征在于，

所述遮光結構在所述感光半導體層所在平面的正投影環繞所述感光半導體層。

4.根據權利要求1所述的顯示模組，其特征在于，

所述陣列基板還包括多條掃描線和多條數據線，以及與所述掃描線和所述數據線相連的薄膜晶體管；所述掃描線沿所述第一方向延伸并沿所述第二方向排列，所述數據線沿所述第二方向延伸并沿所述第一方向排列；所述掃描線和所述數據線交叉限定出多個子像素區，所述子像素位于所述子像素區；其中，所述薄膜晶體管包括柵極、源極、漏極和有源層；

所述柵極與所述掃描線位于所述柵極金屬層；

所述源極、所述漏極與所述數據線位于所述源漏極金屬層；

所述有源層位于所述緩沖層和所述柵極絕緣層之間。

5.根據權利要求1所述的顯示模組，其特征在于，

所述第二遮光層的材料包括吸光樹脂。

6.根據權利要求1所述的顯示模組，其特征在于，

所述第一遮光結構包括貫穿所述層間絕緣層和所述柵極絕緣層的第一子遮光結構，所述第二遮光結構包括貫穿所述層間絕緣層和所述柵極絕緣層的第二子遮光結構；和/或，所述第一遮光結構包括貫穿所述柵極絕緣層和所述緩沖層的第三子遮光結構，所述第二遮光結構包括貫穿所述柵極絕緣層和所述緩沖層的第四子遮光結構。