[發(fā)明專利]一種憶阻器及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911054145.9 | 申請日： | 2019-10-31 |
| 公開（公告）號： | CN110797458B | 公開（公告）日： | 2021-11-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 王軍;劉賢超;崔官豪;周泓希;茍軍;史佳欣;劉德幸 | 申請（專利權(quán)）人： | 電子科技大學(xué) |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 成都華風(fēng)專利事務(wù)所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 張巨箭 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 憶阻器 及其 制備 方法 | ||
1.一種憶阻器制備方法，其特征在于：所述方法包括：將電阻率滿足第一閾值條件、晶向?yàn)?00的低阻硅片作為低阻硅襯底；
在所述低阻硅襯底上制備具有孔陣列的掩膜層；
刻蝕所述低阻硅襯底得到具有三維錐形結(jié)構(gòu)陣列的低阻硅襯底，所述具有三維錐形結(jié)構(gòu)陣列的低阻硅襯底作為第一電極層；
去除所述掩膜層，在所述具有三維錐形結(jié)構(gòu)陣列的低阻硅襯底上依次沉積介質(zhì)層和金屬層，所述金屬層作為第二電極層；
所述第一閾值條件為所述低阻硅襯底的電阻率為0.001-0.1Ω·cm；
所述刻蝕所述低阻硅襯底具體步驟為：
配置用于刻蝕低阻硅襯底的各向異性刻蝕溶液，所述各向異性刻蝕溶液為堿性溶液，具體為氫氧化鉀或氫氧化鈉或四甲基氫氧化銨或混合刻蝕液，所述混合刻蝕液為氫氧化鉀、氫氧化鈉、四甲基氫氧化銨中任意一種溶液與異丙醇的混合液；
將所述低阻硅襯底置于質(zhì)量分?jǐn)?shù)15％的氫氧化鉀與體積比為5％的異丙醇混合形成的各向異性刻蝕溶液或質(zhì)量分?jǐn)?shù)25％的四甲基氫氧化銨與體積比為36％的異丙醇混合形成的各向異性刻蝕溶液中，對所述低阻硅襯底進(jìn)行各向異性刻蝕，得到斜槽角度為54°的三維錐形結(jié)構(gòu)陣列的低阻硅襯底。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種憶阻器制備方法，其特征在于：所述制備具有孔陣列的掩膜層的方法包括微球輔助光刻法、雙/多光束激光干涉光刻法、納米壓印法。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種憶阻器制備方法，其特征在于：所述掩膜層包括為氮化硅或氧化硅。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種憶阻器制備方法，其特征在于：所述去除所述掩膜層的方法包括：
將低阻硅襯底放入氫氟酸與水體積比1：80的混合溶液浸泡第一時間，再采用濃磷酸去除低阻硅襯底上的掩膜層；或采用氫氟酸緩沖液去除低阻硅襯底上的掩膜層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種憶阻器制備方法，其特征在于：所述沉積介質(zhì)層和金屬層的方法包括：物理氣相沉積法、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法。
6.采用權(quán)利要求1所述的一種憶阻器制備方法，其特征在于：所述介質(zhì)層包括二氧化硅、氧化鋁、氮化硅或氟化鎂，所述金屬層為不穩(wěn)定金屬。
7.一種憶阻器，其特征在于：采用權(quán)利要求1所述方法進(jìn)行制備，所述憶阻器包括低阻硅襯底，和在所述低阻硅襯底上依次沉積的介質(zhì)層、金屬層；所述低阻硅襯底為具有三維錐形結(jié)構(gòu)陣列的低阻硅襯底；所述低阻硅襯底作為所述憶阻器的第一電極層，所述金屬層作為所述憶阻器的第二電極層。
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