[發明專利]一種針對大尺寸碳化硅高溫反應裝置的溫場校準的方法有效
| 申請號： | 201911052030.6 | 申請日： | 2019-10-31 |
| 公開（公告）號： | CN110793662B | 公開（公告）日： | 2020-12-15 |
| 發明（設計）人： | 張新河;陳施施;溫正欣;楊安麗;葉懷宇;張國旗 | 申請（專利權）人： | 深圳第三代半導體研究院 |
| 主分類號： | G01K11/00 | 分類號： | G01K11/00;C30B29/36;C30B25/16 |
| 代理公司： | 北京中知法苑知識產權代理有限公司 11226 | 代理人： | 閻冬 |
| 地址： | 518055 廣東省深圳市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 針對 尺寸 碳化硅 高溫 反應 裝置 校準 方法 | ||
1.一種針對大尺寸碳化硅高溫反應裝置的溫場校準的方法，其特征在于，所述溫場校準方法包括：
用于校準高溫反應裝置的襯底，
使用藍膜覆蓋所述襯底背面，
在所述襯底表面噴灑含納米二氧化硅的拋光液，
將所述襯底靜置數分鐘后，清洗所述襯底，洗去表面的拋光液，得到表面上均勻分布有納米二氧化硅結晶的襯底，
揭去所述覆蓋所述襯底背面的藍膜，
將所述表面上均勻分布有納米二氧化硅結晶的襯底放入擬校準的碳化硅高溫反應裝置中同時通入氫氣，加熱至指定溫度，
降溫取出所述襯底，
在顯微鏡下觀察所述襯底表面的納米二氧化硅結晶的分布情況，
依據納米二氧化硅結晶的分布形態得出碳化硅高溫反應裝置的溫場，
根據所述碳化硅高溫反應裝置的溫場情況進行校準。
2.根據權利要求1所述針對大尺寸碳化硅高溫反應裝置的溫場校準的方法，其特征在于，所述方法還包括：檢測完畢后，用氫氟酸清洗所述襯底，去除表面殘余的納米二氧化硅結晶，所述襯底可重復利用。
3.根據權利要求1所述針對大尺寸碳化硅高溫反應裝置的溫場校準的方法，其特征在于，所述襯底為碳化硅襯底。
4.根據權利要求1所述針對大尺寸碳化硅高溫反應裝置的溫場校準的方法，其特征在于，所述納米二氧化硅結晶，直徑在80-200nm。
5.根據權利要求1所述針對大尺寸碳化硅高溫反應裝置的溫場校準的方法，其特征在于，所述分布情況包括：依據指定溫度情況下二氧化硅結晶融化并被氫氣帶走形成的分布圖形。
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