[發(fā)明專利]硅基板蝕刻溶液及利用其的半導(dǎo)體器件的制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911051517.2 | 申請日： | 2019-10-31 |
| 公開（公告）號： | CN111117625B | 公開（公告）日： | 2022-08-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 柳浩成;金明炫;文暎善;李浚銀;張平和 | 申請（專利權(quán)）人： | OCI有限公司 |
| 主分類號： | C09K13/06 | 分類號： | C09K13/06;C09K13/08;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人： | 呂琳;宋東穎 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 硅基板 蝕刻 溶液 利用 半導(dǎo)體器件 制造 方法 | ||
1.一種硅基板蝕刻溶液，其特征在于，
包含：
無機(jī)酸水溶液；以及
由下述化學(xué)式1表示的硅添加劑，
上述硅基板蝕刻溶液包含100ppm至10000ppm的上述硅添加劑，
化學(xué)式1：
在上述化學(xué)式1中，
Z由下述化學(xué)式2表示：
化學(xué)式2：
X1及X2分別獨立地為氧或硫，
R1至R4分別獨立地選自氫、C1-C10烷基、C6-C12環(huán)烷基、包含至少一種雜原子的C2-C10雜烷基、C2-C10烯基、C2-C10炔基、C1-C10鹵代烷基、C1-C10氨烷基、芳基、雜芳基、芳烷基、羥基、氨基、鹵素、砜、膦、磷、巰基、烷氧基、酰胺、酯、酸酐、酰鹵、氰基、羧基及唑，
Y1至Y4分別獨立地選自氫、C1-C10烷基、C6-C12環(huán)烷基、包含至少一種雜原子的C2-C10雜烷基、C2-C10烯基、C2-C10炔基、C1-C10鹵代烷基、C1-C10氨烷基、芳基、雜芳基、芳烷基、羥基、氨基、鹵素、砜、膦、磷、巰基、烷氧基、酰胺、酯、酸酐、酰鹵、氰基、羧基及唑，
n為1至5之間的整數(shù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基板蝕刻溶液，其特征在于，上述無機(jī)酸水溶液為包含選自硫酸、硝酸、磷酸、硅酸、氫氟酸、硼酸、鹽酸、高氯酸、磷酸酐、焦磷酸及多磷酸中的至少一種無機(jī)酸的水溶液。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基板蝕刻溶液，其特征在于，上述硅基板蝕刻溶液蝕刻由氧化硅膜組成的單層膜或同時包含氧化硅膜及氮化硅膜的多層膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基板蝕刻溶液，其特征在于，上述硅基板蝕刻溶液還包含選自氟化氫、氟化銨、二氟化銨及氟化氫銨中的至少一種含氟化合物。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基板蝕刻溶液，其特征在于，上述硅基板蝕刻溶液還包含具有由有機(jī)陽離子與含氟陰離子離子鍵合的形態(tài)的含氟化合物。
6.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，包括通過利用權(quán)利要求1至5中任一項所述的硅基板蝕刻溶液來執(zhí)行蝕刻工序的步驟。
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