[發明專利]一種有機發光顯示面板和顯示裝置有效
| 申請號: | 201911050701.5 | 申請日: | 2019-10-30 |
| 公開(公告)號: | CN110676301B | 公開(公告)日: | 2022-04-15 |
| 發明(設計)人: | 馬揚昭;夏志強;周瑞淵 | 申請(專利權)人: | 武漢天馬微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京匯思誠業知識產權代理有限公司 11444 | 代理人: | 馮偉 |
| 地址: | 430205 湖北省武*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 有機 發光 顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種有機發光顯示面板,其特征在于,包括:
半透明顯示區、正常顯示區和非顯示區,所述正常顯示區至少半包圍所述半透明顯示區,所述非顯示區包圍所述正常顯示區和所述半透明顯示區;
依次設置的陣列基板、多個子像素、封裝層和抗反射層,所述子像素設置于所述陣列基板和所述封裝層之間;所述抗反射層包括多個色阻和黑矩陣,所述色阻與所述子像素對應設置且所述色阻覆蓋所述子像素;
所述半透明顯示區的子像素密度小于所述正常顯示區的子像素密度,位于所述半透明顯示區的色阻的厚度小于位于所述正常顯示區的色阻的厚度。
2.根據權利要求1所述的有機發光顯示面板,其特征在于,
所述子像素包括陽極、發光材料層和陰極;所述陽極上設置有像素定義層,所述像素定義層設置有開口,所述發光材料層覆蓋所述像素定義層開口,所述陰極覆蓋所述發光材料層;
所述陣列基板包括驅動電路,所述陽極與所述驅動電路對應電連接。
3.根據權利要求2所述的有機發光顯示面板,其特征在于,
所述子像素包括第一色子像素、第二色子像素和第三色子像素;所述色阻包括第一色色阻、第二色色阻和第三色色阻;所述第一色、所述第二色和所述第三色互不相同;
所述第一色色阻覆蓋所述第一子像素,所述第二色色阻覆蓋所述第二色子像素,所述第三色色阻覆蓋所述第三色子像素。
4.根據權利要求3所述的有機發光顯示面板,其特征在于,
位于半透明顯示區的所述第一色色阻、所述第二色色阻以及所述第三色色阻的厚度均為零。
5.根據權利要求4所述的有機發光顯示面板,其特征在于,
對于第四色子像素和第四色色阻,位于所述半透明顯示區的第四色子像素的開口率為AR1,效率為E1,位于所述正常顯示區的第四色子像素的開口率為AR2,效率為E2,第四色色阻透過率為T2;所述第四色色阻透過率與開口率滿足:
0.9*L*T2/(AR2*E2)≤L/(AR1*E1)≤1.1*L*T2/(AR2*E2),其中L為第四色子像素的亮度,第四色為第一色、第二色和第三色中的任意一個。
6.根據權利要求3所述的有機發光顯示面板,其特征在于,
對于第五色子像素和第五色色阻,位于半透明顯示區的所述第五色色阻的厚度為H3,透過率為T3;位于所述正常顯示區的所述第五色色阻的厚度為H4,透過率為T4;
對于第五色子像素和第五色色阻,位于所述半透明顯示區的第五色子像素的開口率為AR3,效率為E3,位于所述正常顯示區的第五色子像素的開口率為AR4,效率為E4;所述第五色色阻透過率與開口率滿足:
0.9*L*T4(AR4*E4)≤L*T3/(AR3*E3)≤1.1*L*T4/(AR4*E4),其中L為第五色子像素的亮度,第五色為第一色、第二色和第三色中的任意一個。
7.根據權利要求5或6所述的有機發光顯示面板,其特征在于,
對于第四色子像素或者第五色子像素,在半透明顯示區和正常顯示區同一道工藝同時形成,E1=E2和/或E3=E4。
8.根據權利要求3所述的有機發光顯示面板,其特征在于,
所述像素定義層包括開口區和非開口區,在所述正常顯示區所述非開口區覆蓋所述黑矩陣,且所述黑矩陣覆蓋除色阻以外的區域;
所述半透明顯示區包括像素發光區、走線區和透光區;所述子像素位于所述像素發光區,各所述像素發光區之間由走線區連接,多個所述走線區和所述像素發光區圍繞所述透光區;
在半透明顯示區,所述黑矩陣覆蓋所述走線區,且所述黑矩陣與所述發光區和所述透光區均不交疊。
9.根據權利要求3所述的有機發光顯示面板,其特征在于,
所述封裝層為薄膜封裝層,所述薄膜封裝層包括至少一層無機層和至少一層有機層;
所述抗反射層與所述封裝層之間設置有無機阻擋層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





