[發明專利]顯示裝置及電子設備有效
| 申請號: | 201911050468.0 | 申請日: | 2019-10-31 |
| 公開(公告)號: | CN110783364B | 公開(公告)日: | 2022-09-13 |
| 發明(設計)人: | 楊鑫 | 申請(專利權)人: | OPPO廣東移動通信有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黃威 |
| 地址: | 523860 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 電子設備 | ||
1.一種顯示裝置,其特征在于:包括:
第一顯示區,包括微型發光二極管和第一基板,所述微型發光二極管設置于所述第一基板上,所述第一顯示區還包括電致變色塊,所述電致變色塊位于所述微型發光二極管背離所述第一基板一側,所述電致變色塊對應所述微型發光二極管設置,所述電致變色塊略大于微型發光二極管設置,所述第一顯示區包括第一公共電極層,所述第一公共電極層包括輔助導電部和多個第一導電塊,所述輔助導電部對應多個所述微型發光二極管具有多個開口,每一所述開口內設有一所述第一導電塊,每一所述第一導電塊鄰接一所述微型發光二極管,所述輔助導電部電性連接多個所述第一導電塊,所述輔助導電部的透光率大于所述第一導電塊的透光率,所述輔助導電部的電阻率小于所述第一導電塊的電阻率,所述輔助導電部的厚度大于所述第一導電塊的厚度;
第二顯示區,相鄰所述第一顯示區,所述第二顯示區包括有機發光二極管,所述第二顯示區包括第二公共電極層,所述第二公共電極層包括多個第二導電塊,所述第二導電塊的厚度大于所述第一導電塊的厚度;
第一驅動芯片,與所述第一顯示區電性連接,并用于驅動所述微型發光二極管顯示圖像;以及
第二驅動芯片,與所述第二顯示區電性連接,并用于驅動所述有機發光二極管顯示圖像;
其中,所述第一顯示區的透光率大于所述第二顯示區的透光率。
2.根據權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,所述第一顯示區還包括驅動所述微型發光二極管的第一驅動單元,所述第一驅動單元設置于所述第一基板和所述微型發光二極管之間,所述微型發光二極管與所述第一驅動單元至少部分相對設置。
3.根據權利要求2所述的顯示裝置,其特征在于,所述微型發光二極管在所述第一基板具有第一正投影,所述第一驅動單元在所述第一基板具有第二正投影,所述第一正投影和所述第二正投影中的一個位于另一個內。
4.根據權利要求2所述的顯示裝置,其特征在于,所述微型發光二極管和所述第一驅動單元之間設有遮光塊,所述遮光塊與所述第一驅動單元至少部分相對設置,所述遮光塊用于遮擋照射至所述第一驅動單元的光信號。
5.根據權利要求2所述的顯示裝置,其特征在于,所述電致變色塊用于在顯示第一顏色和無色透明之間切換,所述第一顏色的所述電致變色塊用于遮擋照射至所述微型發光二極管的光信號。
6.根據權利要求5所述的顯示裝置,其特征在于,所述微型發光二極管在所述第一基板具有第一正投影,所述第一驅動單元在所述第一基板具有第二正投影,所述電致變色塊在所述第一基板具有第四正投影,所述第一正投影和所述第二正投影均位于所述第四正投影內。
7.根據權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,所述第一驅動芯片和所述第二驅動芯片位于所述顯示裝置相對設置的兩端。
8.根據權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,所述第一顯示區的所述微型發光二極管的分布密度不大于所述第二顯示區的所述有機發光二極管的分布密度,所述第一顯示區單位面積的最大亮度不小于所述第二顯示區單位面積的最大亮度。
9.一種電子設備,其特征在于,包括:
顯示裝置,所述顯示裝置如權利要求1-8任一項所述的顯示裝置;
光學傳感器,所述光學傳感器相對所述第一顯示區設置,所述光學傳感器用于透過所述第一顯示區傳輸光信號。
10.根據權利要求9所述的電子設備,其特征在于,所述第一顯示區還包括電致變色塊,所述電致變色塊位于所述微型發光二極管背離所述第一基板一側,所述電致變色塊對應所述微型發光二極管設置;
所述電子設備還包括處理器,所述處理器用于當所述第一顯示區顯示圖像時,控制所述電致變色塊為無色透明狀態;還用于當所述光學傳感器工作時,控制所述電致變色塊顯示第一顏色,用以遮擋照射至所述微型發光二極管的光信號。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





