[發(fā)明專利]一種聚合物復(fù)合模板及其制備方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201911049864.1
• 申請日: 2019-10-31
• 公開（公告）號: CN110746779A
• 公開（公告）日: 2020-02-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 葉向東;田波
• 申請（專利權(quán)）人: 西安建筑科技大學(xué)
• 主分類號: C08L83/04
• 分類號: C08L83/04;C08K9/10;C08K3/36;C08K3/04;C08K3/22
• 代理公司: 61200 西安通大專利代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 李鵬威

1.一種聚合物復(fù)合模板的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1、在硬襯底表面刻蝕具有微米或納米陣列的凹槽結(jié)構(gòu)，清洗，干燥后，得到翻模模具；

步驟2、在翻模模具表面覆蓋足量納米粒子，并使納米粒子充分填充在翻模模具的凹槽結(jié)構(gòu)中；

步驟3、刮除翻模模具凹槽結(jié)構(gòu)外多余的納米粒子；

步驟4、將聚合物溶液澆注在填充有納米粒子的翻模模具表面，抽真空處理后，使聚合物溶液通過納米粒子間的縫隙滲透至翻模模具的凹槽結(jié)構(gòu)中；

步驟5、待聚合物溶液固化，將固化后的聚合物從翻模模具上剝離，使固化后的聚合物包覆帶出納米粒子，得到所述的聚合物復(fù)合模板。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種聚合物復(fù)合模板的制備方法，其特征在于，步驟1中，硬襯底采用高摻雜硅片或高摻雜二氧化硅片。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種聚合物復(fù)合模板的制備方法，其特征在于，步驟1中，采用光刻技術(shù)在硬襯底表面刻蝕具有微米或納米陣列的凹槽結(jié)構(gòu)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種聚合物復(fù)合模板的制備方法，其特征在于，步驟1中，微米陣列的凹槽結(jié)構(gòu)尺寸特征為：長×寬×高＝(1-50)×(1-50)×(1-50)μm；納米陣列的凹槽結(jié)構(gòu)尺寸特征為：長×寬×高＝(100-500)×(100-500)×(100-500)nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種聚合物復(fù)合模板的制備方法，其特征在于，步驟1中，清洗過程依次采用丙酮、乙醇及去離子水超聲清洗，超聲清洗時間均為8-15min；干燥過程采用氮氣吹干處理。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種聚合物復(fù)合模板的制備方法，其特征在于，步驟2中，納米粒子采用二氧化硅納米粒子、富勒烯及二氧化鈦納米粒子中的一種。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種聚合物復(fù)合模板的制備方法，其特征在于，步驟2中，采用載玻片對納米粒子施加壓力，使納米粒子充分填充在翻模模具的凹槽結(jié)構(gòu)中，壓力大小為1-5N。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種聚合物復(fù)合模板的制備方法，其特征在于，聚合物溶液采用聚合物本底及對應(yīng)固化劑配制得到；聚合物本底采用聚二甲基硅氧烷，聚二甲基硅氧烷與對應(yīng)固化劑按質(zhì)量比(9-11):1配制得到。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種聚合物復(fù)合模板的制備方法，其特征在于，步驟4中抽真空時間為5-10min，使聚合物溶液中無氣泡。

10.一種聚合物復(fù)合模板，其特征在于，根據(jù)權(quán)利要求1-9任意一項所述的一種聚合物復(fù)合模板的制備方法制備得到；所述的聚合物復(fù)合模板中納米粒子含量為65.68-81.23wt％，聚合物復(fù)合模板的熱膨脹系數(shù)為96-153.87ppm/℃。