[發明專利]膜層制作方法及發光器件

在審

• 申請號: 201911049182.0
• 申請日: 2019-10-31
• 公開（公告）號: CN110783459A
• 公開（公告）日: 2020-02-11
• 發明（設計）人: 江沛;李佳育;徐君哲;陳書志;段淼;尹勇明;吳永偉;何波
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L51/00
• 分類號: H01L51/00;H01L51/50;C23C16/30
• 代理公司: 44570 深圳紫藤知識產權代理有限公司
• 代理人: 李新干

1.一種膜層制作方法，其特征在于，所述方法包括：

在基底上方設置至少一個氣相源，所述至少一個氣相源中材料包括鈣鈦礦材料；

控制所述至少一個氣相源的蒸發速率，形成鈣鈦礦膜層。

2.根據權利要求1所述的膜層制作方法，其特征在于，所述控制所述至少一個氣相源的蒸發速率，形成鈣鈦礦膜層包括：

控制所述至少一個氣相源中材料的蒸發速率，使得所述至少一個氣相源中材料之間發生化學反應，形成所述鈣鈦礦材料；

將所述鈣鈦礦材料沉積在所述基底上，形成所述鈣鈦礦膜層。

3.根據權利要求2所述的膜層制作方法，其特征在于，所述控制所述至少一個氣相源中材料的蒸發速率，使得所述至少一個氣相源中材料之間發生化學反應，形成所述鈣鈦礦材料包括：

獲取所述鈣鈦礦材料中的物質摩爾比例；

根據所述物質摩爾比例確定所述至少一個氣相源中每個氣相源的目標蒸發速率；

分別控制所述至少一個氣相源中每個氣相源的材料蒸發速率為對應的目標蒸發速率，使得所述至少一個氣相源中每個氣相源的材料之間發生化學反應，得到所述鈣鈦礦材料。

4.根據權利要求3所述的膜層制作方法，其特征在于，所述分別控制所述至少一個氣相源中每個氣相源的材料蒸發速率為對應的目標蒸發速率，包括：用不同能量的電子束或高能激光束照射氣相源，以控制所述氣相源中材料的蒸發速率為對應的目標蒸發速率。

5.根據權利要求1所述的膜層制作方法，其特征在于，所述至少一個氣相源中僅包括一個氣相源，所述鈣鈦礦材料為鈣鈦礦單晶或多晶材料。

6.根據權利要求1所述的膜層制備方法，其特征在于，所述鈣鈦礦材料通式為ABX₃，A為甲胺離子，甲脒離子或銫離子；B為鉛離子或錫離子金屬陽離子；X為鹵素離子，溴離子或碘離子。

7.根據權利要求1所述的膜層制作方法，其特征在于，所述至少一個氣相源中包括兩個氣相源，所述兩個氣相源中材料分別為鈣鈦礦前驅體材料AX和BX₂；

A為甲胺離子，甲脒離子或銫離子；B為鉛離子或錫離子金屬陽離子；X為鹵素離子，溴離子或碘離子。

8.根據權利要求1所述的膜層制作方法，其特征在于，所述至少一個氣相源中包括三個氣相源，所述三個氣相源中材料分別為鈣鈦礦前驅體材料(A₁)X，(A₂)X和BX₂；

其中，A₁、A₂為甲胺離子，甲脒離子或銫離子中任意不相同的兩種；B為鉛金屬陽離子或錫金屬陽離子；X為鹵素氯離子，溴離子或碘離子。

9.一種發光器件，其特征在于，所述發光器件包括發光層，所述發光層為鈣鈦礦發光層。

10.根據權利要求9所述的發光器件，其特征在于，所述鈣鈦礦發光層材料通式為ABX₃，其中A為甲胺離子，甲脒離子或銫離子；B為鉛離子或錫離子金屬陽離子；X為鹵素離子，溴離子或碘離子。