[發(fā)明專利]一種顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911047858.2 | 申請日: | 2019-10-30 |
| 公開(公告)號: | CN110752221B | 公開(公告)日: | 2022-02-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陳建友;陳健;鐘彩嬌 | 申請(專利權(quán))人: | 廈門天馬微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L29/786;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
| 地址: | 361101 福建*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 顯示裝置 | ||
本發(fā)明實施例公開了一種顯示裝置,包括相對設(shè)置的顯示面板和背光模組,包括陣列基板;陣列基板包括第一襯底基板和薄膜晶體管,薄膜晶體管包括柵極、源極、漏極以及有源層;有源層靠近背光模組的一側(cè)設(shè)置有第一遮光層,第一遮光層包括至少一個第一遮光部,在垂直于第一襯底基板所在平面的方向上,有源層與第一遮光部至少部分重疊;還包括透光基板,透光基板位于顯示面板和背光模組之間;透光基板包括第二襯底基板,第二襯底基板靠近顯示面板的一側(cè)設(shè)有第二遮光層,第二遮光層包括至少一個第二遮光部;在垂直于第一襯底基板所在平面的方向上,第一遮光部與第二遮光部至少部分重疊。本發(fā)明能夠降低薄膜晶體管的漏電流,改善顯示效果。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種顯示裝置。
背景技術(shù)
低溫多晶硅薄膜晶體管(LTPS-TFT)具有遷移率高、反應(yīng)速度快等優(yōu)點,因此被廣泛應(yīng)用在中高端智能手機、平板電腦、智能穿戴、車載顯示等產(chǎn)品上。
但是,多晶硅(poly-Si)受光照影響會造成器件不穩(wěn)定,漏電流增大,造成面板顯示不正常,因此一般在制作TFT器件之前要制作一道遮光金屬層(LSM)進行遮光。對于特定產(chǎn)品,如車載抬頭顯示器(HUD),其背光亮度可達百萬尼特(nit),導致正常厚度(通常為35nm)的LSM無法將照射到多晶硅上的光強控制在較低的范圍內(nèi),因而導致HUD產(chǎn)品的光漏流嚴重,發(fā)生串擾等現(xiàn)象,影響用戶體驗。若增加LSM的厚度,雖然可以改善遮光效果,但由于LSM具有良好的導熱性(LSM通常包括鉬或鋁等金屬材料),在將非晶硅(a-Si)轉(zhuǎn)化為poly-Si的激光晶化制程中,會出現(xiàn)溫度不夠,晶化不完全的現(xiàn)象。為改善這一情況,一般會采用加厚緩沖層的方法,隔絕熱量,防止熱量被LSM導走。但緩沖層加厚后,會影響TFT器件的電容,使電性惡化。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本發(fā)明提供了一種顯示裝置,能夠有效解決顯示區(qū)靠近攝像頭等器件安裝區(qū)域出現(xiàn)的擠壓漏光問題。
本發(fā)明提供一種顯示裝置,包括:
相對設(shè)置的顯示面板和背光模組,所述顯示面板包括相對設(shè)置的彩膜基板和陣列基板;
所述陣列基板包括第一襯底基板和位于所述第一襯底基板上的至少一個薄膜晶體管,所述薄膜晶體管包括柵極、源極、漏極以及有源層;
所述有源層靠近所述背光模組的一側(cè)設(shè)置有第一遮光層,所述第一遮光層包括至少一個第一遮光部,在垂直于所述第一襯底基板所在平面的方向上,所述有源層與所述第一遮光部至少部分重疊;
所述顯示裝置還包括透光基板,所述透光基板位于所述顯示面板和所述背光模組之間;所述透光基板包括第二襯底基板,所述第二襯底基板靠近所述顯示面板的一側(cè)設(shè)有第二遮光層,所述第二遮光層包括至少一個第二遮光部;在垂直于所述第一襯底基板所在平面的方向上,所述第一遮光部與所述第二遮光部至少部分重疊。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明提供的顯示裝置,實現(xiàn)了如下的有益效果:通過在顯示面板靠近背光模組的一側(cè)設(shè)置透光基板,透光基板包括第二襯底基板,在第二襯底基板靠近顯示面板的一側(cè)設(shè)置第二遮光層,第二遮光層包括至少一個第二遮光部,且在垂直于第一襯底基板所在平面的方向上,薄膜晶體管的有源層與第一遮光部至少重疊,第一遮光部與第二遮光部至少部分重疊,即在第一遮光部對薄膜晶體管的溝道進行遮擋時,再通過設(shè)置第二遮光部進一步對薄膜晶體管的溝道進行遮擋,提高遮光能力,避免薄膜晶體管的溝道區(qū)因受背光照射產(chǎn)生光生載流子而導致漏電流增大,從而提升薄膜晶體管的特性,改善顯示效果。
附圖說明
圖1是本發(fā)明實施例提供的一種顯示裝置的平面結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2是本發(fā)明實施例提供的一種顯示裝置的剖面結(jié)構(gòu)示意圖;
圖3是本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的平面結(jié)構(gòu)示意圖;
圖4是圖3中陣列基板的局部放大示意圖;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





