[發明專利]基底的氮化處理方法

有效

• 申請號: 201911047844.0
• 申請日: 2019-10-30
• 公開（公告）號: CN110752147B
• 公開（公告）日: 2021-11-26
• 發明（設計）人: 王青;董雅娟
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種基底的氮化處理方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一等離子體氮化裝置，所述裝置包括腔體、與所述腔體連通的氣體輸送通道、以及設置在所述腔體中微波透過板，所述微波透過板用于傳遞微波，以在所述腔體中形成電磁場，進而等離子化所述腔體中的氣體；

通入預定氣體，以使所述微波透過板的表層轉換為氮化層；

提供至少一個基底，并將所述基底放置于所述腔體中，以對所述基底執行氮化處理；

其中，當所述基底包括非含氧基底時，將所述基底放置于腔體中之前，使所述微波透過板的表層轉換為氮化層。

2.如權利要求1所述的基底的氮化處理方法，其特征在于，當所述基底包括非含氧基底時，在將所述非含氧基底放置于所述腔體中之前，通入預定氣體至所述腔體中，所述預定氣體包括氮氣，以使所述微波透過板的表層轉換為氮化層。

3.如權利要求1所述的基底的氮化處理方法，其特征在于，當所述基底包括含氧基底時，并且在通入預定氣體之前所述微波透過板的表層為非氧化物時，則在將所述含氧基底放置于所述腔體中之前，通入預定氣體至所述腔體中，所述預定氣體包括氧氣，以使所述微波透過板的表層轉換為氮氧化層。

4.如權利要求3所述的基底的氮化處理方法，其特征在于，當通入預定氣體之前所述微波透過板的表層為氮化物時，所述預定氣體為氧氣，以使所述微波透過板的表層轉換為氮氧化層；當通入預定氣體之前所述微波透過板的表層為硅時，所述預定氣體還包括氮氣，以利用所述氧氣和所述氮氣將所述微波透過板的表層轉換為氮氧化硅層。

5.如權利要求1所述的基底的氮化處理方法，其特征在于，在對含氧基底執行氮化處理之后，所述微波透過板的表層為氮氧化層；以及

當對含氧基底執行氮化處理之后，并在對非含氧基底執行氮化處理之前，所述方法還包括：

從所述腔體中取出含氧基底，使所述腔體中未放置基底；

向所述腔體中通入氮氣，并等離子化得到氮原子，所述氮原子從所述微波透過板表層的氮氧化層中置換出氧原子，以使得所述氮氧化層變更為氮化層；以及，

將所述非含氧基底放置于所述腔體中，并向所述腔體中通入氮氣，以對所述非含氧基底執行氮化處理。

6.如權利要求1所述的基底的氮化處理方法，其特征在于，在對非含氧基底執行氮化處理之后，所述微波透過板的表層為氮化層；以及

當對非含氧基底執行氮化處理之后，并在對含氧基底執行氮化處理之前，所述方法還包括：

取出所述非含氧基底，使所述腔體中未放置基底；

向所述腔體中通入氧氣，并等離子化得到氧原子，所述氧原子從所述微波透過板表層的氮化層中置換出部分氮原子，以使得所述氮化層變更為氮氧化層；

將所述含氧基底放置于所述腔體中，并向所述腔體中通入氮氣，以對所述含氧基底執行氮化處理。

7.如權利要求1所述的基底的氮化處理方法，其特征在于，當所述基底包括含氧基底時，在對所述含氧基底執行氮化處理的過程中，腔體中的氮原子從所述微波透過板的氮氧化層中置換出氧原子的速率，與腔體中的氧原子從所述微波透過板的氮氧化層中置換出氮原子的速率維持動態平衡。

8.如權利要求1所述的基底的氮化處理方法，其特征在于，將所述基底放置于所述腔體中之前，所述方法還包括：對所述腔體執行抽真空處理。