[發明專利]一種氮化鎵晶體的生長方法有效
| 申請號： | 201911047773.4 | 申請日： | 2019-10-30 |
| 公開（公告）號： | CN110629284B | 公開（公告）日： | 2021-08-17 |
| 發明（設計）人： | 狄聚青;朱劉;劉運連;薛帥;崔博;方義林 | 申請（專利權）人： | 廣東先導稀材股份有限公司 |
| 主分類號： | C30B25/16 | 分類號： | C30B25/16;C30B25/18;C30B29/40 |
| 代理公司： | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人： | 顏希文 |
| 地址： | 511517 廣東省清*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 氮化 晶體 生長 方法 | ||
1.一種氮化鎵晶體的生長方法，其特征在于，包括以下步驟：
（1）在玻璃基板上沉積金屬薄膜，然后高溫退火，得到已沉積金屬薄膜的玻璃基板；金屬薄膜的材質為鈹、锝、釕、錸、鋨、鈧、釔、鑭、鐠、釹、钷、釓、鋱、鏑、鈥、鉺、銩中的至少一種，或上述金屬組成的合金；高溫退火的溫度為800~1400℃，時間為1~50h；
（2）將步驟（1）所得的已沉積金屬薄膜的玻璃基板置于晶體生長爐內，在晶體生長爐內通入酸性氣體腐蝕，然后通入吹掃氣體吹掃；
（3）吹掃結束后通入氨氣和氯化鎵氣體，并在金屬薄膜上沉積氮化鎵晶體，晶體生長完成后，將已沉積氮化鎵晶體和金屬薄膜的玻璃基板置于腐蝕液中，將金屬薄膜腐蝕，得到氮化鎵晶體。
2.如權利要求1所述的氮化鎵晶體的生長方法，其特征在于，所述步驟（1）中，玻璃基板為石英玻璃基板。
3.如權利要求1所述的氮化鎵晶體的生長方法，其特征在于，所述步驟（1）中，金屬薄膜的材質為鈹、鈧、釔、釹中的至少一種，或上述金屬組成的合金。
4.如權利要求1所述的氮化鎵晶體的生長方法，其特征在于，所述金屬薄膜的材質為鈧、釔、鑭、鐠、釹、釓、鋱、鏑、鈥、鉺、銩中的至少一種，或上述金屬組成的合金。
5.如權利要求1所述的氮化鎵晶體的生長方法，其特征在于，所述步驟（1）中，采用濺射法或蒸發法在玻璃基板上沉積金屬薄膜。
6.如權利要求1所述的氮化鎵晶體的生長方法，其特征在于，所述步驟（2）中，酸性氣體為氯化氫氣體，腐蝕時間為5~30min。
7.如權利要求1所述的氮化鎵晶體的生長方法，其特征在于，所述步驟（2）中，吹掃氣體為氫氣、氮氣或二者的混合氣體，吹掃時間為10~120min。
8.如權利要求1所述的氮化鎵晶體的生長方法，其特征在于，所述步驟（3）中，氨氣和氯化鎵氣體的體積比為（0.5~2）：1。
9.如權利要求1所述的氮化鎵晶體的生長方法，其特征在于，所述步驟（3）中，腐蝕液為水。
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