[發(fā)明專利]量子點(diǎn)膜，LED封裝，量子點(diǎn)發(fā)光二極管和顯示裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201911047770.0 | 申請(qǐng)日： | 2019-10-30 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN111129267A | 公開（公告）日： | 2020-05-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張慶國(guó);賓鐘官;崔智慧;李太陽 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/50 | 分類號(hào)： | H01L33/50;H01L51/50;H01L27/32;G02F1/1333;G02F1/13357 |
| 代理公司： | 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金國(guó) |
| 地址： | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 量子 led 封裝 發(fā)光二極管 顯示裝置 | ||
1.一種量子點(diǎn)(QD)膜，包括：
第一QD層，包括第一QD；及
第一保護(hù)層，在所述第一QD層上并包括第一有機(jī)化合物，
其中，所述第一有機(jī)化合物包括至少兩個(gè)硫醇基，并且至少兩個(gè)硫醇基中的第一個(gè)錨定到所述第一QD。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的QD膜，其中，所述第一有機(jī)化合物中的所述至少兩個(gè)硫醇基通過醚基或酯基彼此連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的QD膜，其中，所述第一有機(jī)化合物選自以下材料：
其中，R選自C1至C30烷基。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的QD膜，還包括在所述第一保護(hù)層上并包括第二QD的第二QD層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的QD膜，其中，所述第一有機(jī)化合物中所述至少兩個(gè)硫醇基中的第二個(gè)錨定到所述第二QD。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的QD膜，還包括：在所述第二QD層上并且包括第二有機(jī)化合物的第二保護(hù)層，
其中，所述第二有機(jī)化合物包括至少兩個(gè)硫醇基，并且所述第二有機(jī)化合物中的至少兩個(gè)硫醇基中的第一個(gè)錨定到所述第二QD。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的QD膜，其中，從所述第一QD發(fā)出的光和從所述第二QD發(fā)出的光相同或不同。
8.一種發(fā)光二極管(LED)封裝，包括：
LED芯片；及
QD膜，覆蓋所述LED芯片，所述QD膜包括：
第一QD層，包括第一QD；及
第一保護(hù)層，在所述第一QD層上并包括第一有機(jī)化合物，
其中，所述第一有機(jī)化合物包括至少兩個(gè)硫醇基，并且至少兩個(gè)硫醇基中的第一個(gè)錨定到所述第一QD。
9.一種液晶顯示裝置，包括：
液晶面板；及
LED封裝，位于所述液晶面板下方，并且包括LED芯片和覆蓋所述LED芯片的QD膜，所述QD膜包括：
第一QD層，包括第一QD；
第一保護(hù)層，在所述第一QD層上并包括第一有機(jī)化合物，
其中，所述第一有機(jī)化合物包括至少兩個(gè)硫醇基，并且至少兩個(gè)硫醇基中的第一個(gè)錨定到所述第一QD。
10.一種液晶顯示裝置，包括：
液晶面板；
背光單元，位于所述液晶面板下方并包括光源；及
QD膜，位于所述液晶面板和所述背光單元之間，所述QD膜包括：
第一QD層，包括第一QD；及
第一保護(hù)層，在所述第一QD層上并包括第一有機(jī)化合物，
其中，所述第一有機(jī)化合物包括至少兩個(gè)硫醇基，并且至少兩個(gè)硫醇基中的第一個(gè)錨定到所述第一QD。
11.一種QD發(fā)光二極管，包括：
第一電極；
第二電極，面對(duì)所述第一電極；
第一發(fā)射材料層，位于所述第一電極和所述第二電極之間，并包括第一QD層，所述第一QD層包括第一QD及在所述第一QD層上的第一保護(hù)層，
其中，所述第一保護(hù)層包括第一有機(jī)化合物，及
其中，所述第一有機(jī)化合物包括至少兩個(gè)硫醇基，并且至少兩個(gè)硫醇基中的第一個(gè)錨定到所述第一QD。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的QD發(fā)光二極管，其中，所述第一有機(jī)化合物中的所述至少兩個(gè)硫醇基通過醚基或酯基彼此連接。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的QD發(fā)光二極管，其中，所述第一有機(jī)化合物選自以下材料：
其中，R選自C1至C30烷基。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的QD發(fā)光二極管，其中，所述第一發(fā)射材料層還包括在所述第一保護(hù)層上并包括第二QD的第二QD層。
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