[發明專利]半導體裝置的制造方法在審
| 申請號： | 201911045801.9 | 申請日： | 2019-10-30 |
| 公開（公告）號： | CN111128740A | 公開（公告）日： | 2020-05-08 |
| 發明（設計）人： | 陳書涵;陳宗儒;龔達翔;于雄飛;徐志安 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 李琛;黃艷 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體裝置的制造方法，包括：
在一基底上方形成一虛設介電層；
在該虛設介電層上方形成一虛設柵極；
形成一第一間隔物鄰近該虛設柵極；
移除該虛設柵極以形成一空腔，其中該空腔至少部分地由該第一間隔物界定；
對該第一間隔物的復數個部分進行一等離子體處理，其中該等離子體處理使該第一間隔物的該些部分的材料組成從一第一材料組成改變為一第二材料組成；
蝕刻該第一間隔物的具有該第二材料組成的該些部分，以移除該第一間隔物的具有該第二材料組成的該些部分；以及
使用復數個導電材料填充該空腔以形成一柵極結構。
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
