[發明專利]太赫茲信號探測器及其制備方法

有效

• 申請號: 201911045501.0
• 申請日: 2019-10-30
• 公開（公告）號: CN110783354B
• 公開（公告）日: 2022-02-15
• 發明（設計）人: 戴陽;邵龑;楊春雷
• 申請（專利權）人: 深圳先進技術研究院
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304
• 代理人: 孫偉峰;但念念

1.一種太赫茲信號探測器，其特征在于，所述太赫茲信號探測器包括襯底、設置于所述襯底上的太赫茲信號探測像素陣列、支撐結構及反射層，所述支撐結構為可伸縮結構，位于所述襯底與所述反射層之間，所述太赫茲信號探測像素陣列包括多條信號線、多條數據線以及由所述多條信號線和所述多條數據線交叉限定的多個像素單元，每一個所述像素單元包括太赫茲信號接收層和薄膜晶體管，所述薄膜晶體管的源極與所述太赫茲信號接收層電連接，所述薄膜晶體管的漏極與其中一條數據線連接，所述薄膜晶體管的柵極與其中一條信號線連接，所述薄膜晶體管用于將所述太赫茲信號接收層接收的太赫茲信號轉換為電信號并輸出。

2.根據權利要求1所述的太赫茲信號探測器，其特征在于，所述太赫茲信號接收層包括太赫茲信號轉換層、熱敏層，所述熱敏層設于所述襯底與所述太赫茲信號轉換層之間。

3.根據權利要求2所述的太赫茲信號探測器，其特征在于，所述太赫茲信號轉換層包括導熱層、太赫茲信號吸收層，所述導熱層設于所述熱敏層與所述太赫茲信號吸收層之間。

4.根據權利要求3所述的太赫茲信號探測器，其特征在于，所述太赫茲信號吸收層包括兩層金屬層及設于所述兩層金屬層之間的中間介質層。

5.根據權利要求1～4任一所述的太赫茲信號探測器，其特征在于，所述襯底的材質為聚酰亞胺，所述襯底的厚度不大于100微米。

6.一種太赫茲信號探測器的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括步驟：

提供一襯底；

在所述襯底上圖案化形成多條信號線、多條數據線以及多個呈陣列設置的薄膜晶體管，所述多條信號線與所述多條數據線交叉限定多個像素單元，每一個像素單元包括一個薄膜晶體管，每一個像素單元中的薄膜晶體管的漏極與其中一條數據線連接，每一個像素單元中的薄膜晶體管的柵極與其中一條信號線連接；

在所述襯底上圖案化形成多個呈陣列設置的太赫茲信號接收層，每一個像素單元包括一個太赫茲信號接收層，所述多個呈陣列設置的太赫茲信號接收層與所述多個呈陣列設置的薄膜晶體管一一對應，每一個像素單元中的薄膜晶體管的源極與對應的太赫茲信號接收層電連接；

在基板上沉積金屬層；

在所述金屬層上制備支撐結構，所述支撐結構為可伸縮結構；

將獲得的形成有所述信號線、所述數據線、所述薄膜晶體管以及所述太赫茲信號接收層的所述襯底與所述支撐結構固定，獲得太赫茲信號探測器。