[發明專利]有機發光二極體器件和其制作方法在審
| 申請號： | 201911045138.2 | 申請日： | 2019-10-30 |
| 公開（公告）號： | CN110828693A | 公開（公告）日： | 2020-02-21 |
| 發明（設計）人： | 杜中輝 | 申請（專利權）人： | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L51/52 | 分類號： | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人： | 李新干 |
| 地址： | 518132 廣東省深*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 有機 發光 二極體 器件 制作方法 | ||
1.一種有機發光二極體器件，包括：
襯底；
薄膜電晶體電路層；
復數個隔墻，所述復數個隔墻彼此間隔并設置于所述薄膜電晶體電路層之上；
復數個輔助陰極層，所述復數個輔助陰極層設置于所述復數個隔墻之上；
復數個陽極層，所述復數個陽極層設置于所述薄膜電晶體電路層之上并位于所述復數個隔墻之間；
復數個有機發光器件層，所述復數個有機發光器件層設置于所述復數個陽極層之上且位于所述復數個隔墻之間；
電子傳輸層，所述電子傳輸層設置于所述復數個輔助陰極層以及所述復數個有機發光器件層之上并覆蓋所述復數個輔助陰極層、所述復數個有機發光器件層和所述復數個隔墻；以及
陰極層，所述陰極層設置于所述電子傳輸層之上并覆蓋所述電子傳輸層。
2.根據權利要求1所述的有機發光二極體器件，其中，所述復數個輔助陰極層為使用納米銀所制作的復數條納米銀線。
3.根據權利要求2所述的有機發光二極體器件，其中，所述復數條納米銀線的寬度不大于35μm。
4.根據權利要求1所述的有機發光二極體器件，其中，所述復數個隔墻的材料包括疏水性樹酯。
5.根據權利要求1所述的有機發光二極體器件，其中，所述復數個有機發光器件層還包括空穴注入層、空穴傳輸層以及有機發光層。
6.一種有機發光二極體器件的制作方法，包括以下步驟：
S1：提供襯底，制作薄膜電晶體電路層在所述襯底之上，制作復數個隔墻在所述薄膜電晶體電路層之上，所述復數個隔墻彼此間隔；
S2：制作復數個輔助陰極層在所述復數個隔墻之上；
S3：制作復數個陽極層在所述薄膜電晶體電路層之上和所述復數個隔墻之間，制作復數個有機發光器件層在所述復數個陽極層之上和所述復數個隔墻之間；
S4：制作電子傳輸層在所述復數個輔助陰極層和所述復數個有機發光器件層之上，所述電子傳輸層覆蓋所述復數個輔助陰極層、所述復數個有機發光器件層和所述復數個隔墻；以及
S5：制作陰極層在所述電子傳輸層之上，所述陰極層覆蓋所述電子傳輸層。
7.根據權利要求6所述的有機發光二極體器件的制作方法，其中，所述復數個輔助陰極層為使用納米銀所制作的復數條納米銀線。
8.根據權利要求7所述的有機發光二極體器件的制作方法，其中，所述復數條納米銀線的寬度不大于35μm。
9.根據權利要求7所述的有機發光二極體器件的制作方法，其中，所述復數個輔助陰極層的制作方式包括：在所述復數個隔墻上每隔一定距離滴下所述納米銀，所述一定距離為25～35μm，并在溫度范圍90～150℃的環境下烘烤所述納米銀30～60分鐘，形成所述復數條納米銀線。
10.根據權利要求6所述的有機發光二級體器件的制作方法，其中，所述復數個隔墻的材料包括疏水性樹酯。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
