[發(fā)明專利]磁阻裝置及其形成方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201911044722.6 | 申請(qǐng)日： | 2019-10-30 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN112750942A | 公開（公告）日： | 2021-05-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 巫建勛;張正平;李建輝;楊岱宜;陳永祥 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 世界先進(jìn)積體電路股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L43/02 | 分類號(hào)： | H01L43/02;H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人： | 趙平;周永君 |
| 地址： | 中國臺(tái)灣新*** | 國省代碼： | 臺(tái)灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 磁阻 裝置 及其 形成 方法 | ||
1.一種磁阻裝置，其特征在于，包括：
一磁阻，設(shè)置于一襯底之上；
一應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)，覆蓋該磁阻的一側(cè)表面；
一電連接結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該磁阻之上；以及
一鈍化層，設(shè)置于該電連接結(jié)構(gòu)和該應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)之上。
2.如權(quán)利要求1所述的磁阻裝置，其特征在于，該應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)面向該磁阻的一內(nèi)側(cè)表面向上延伸超出該磁阻的一上表面。
3.如權(quán)利要求1所述的磁阻裝置，其特征在于，該電連接結(jié)構(gòu)覆蓋該應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)背離該磁阻的一外側(cè)表面。
4.如權(quán)利要求1所述的磁阻裝置，其特征在于，該應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)以封閉環(huán)形方式延伸以圍繞該磁阻。
5.如權(quán)利要求1所述的磁阻裝置，其特征在于，該應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)包括：
一平坦部，延伸于該襯底的一介電層之上；
一突起部，突出于該平坦部之上且抵接該磁阻。
6.如權(quán)利要求1所述的磁阻裝置，其特征在于，該電連接結(jié)構(gòu)包括：
一下阻擋層、一金屬主體層、以及一上阻擋層，依序堆疊于該磁阻之上。
7.如權(quán)利要求6所述的磁阻裝置，其特征在于，更包括：
一保護(hù)層，設(shè)置于該磁阻與該下阻擋層之間。
8.如權(quán)利要求7所述的磁阻裝置，其特征在于，該保護(hù)層的一側(cè)表面對(duì)齊該磁阻的該側(cè)表面。
9.如權(quán)利要求8所述的磁阻裝置，其特征在于，該應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)至少部分覆蓋該保護(hù)層的該側(cè)表面。
10.如權(quán)利要求7所述的磁阻裝置，其特征在于，該保護(hù)層由鈦鎢形成。
11.如權(quán)利要求1所述的磁阻裝置，其特征在于，該應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)由氧化硅、氮化硅、或氮氧化硅形成。
12.如權(quán)利要求1所述的磁阻裝置，其特征在于，該襯底包括一平臺(tái)，且該應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)圍繞該平臺(tái)。
13.一種磁阻裝置的形成方法，其特征在于，包括：
形成一磁阻于一襯底之上；
形成一介電材料于該磁阻之上；
刻蝕該介電材料以形成一應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)圍繞該磁阻的一側(cè)表面；
形成一電連接結(jié)構(gòu)于該磁阻之上；以及
形成一鈍化層覆蓋該電連接結(jié)構(gòu)和該應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)。
14.如權(quán)利要求13所述的磁阻裝置的形成方法，其特征在于：
刻蝕該介電材料直到暴露出該襯底的一上表面；
該電連接結(jié)構(gòu)橫向延伸超出該應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)背離該磁阻的一外側(cè)表面。
15.如權(quán)利要求13所述的磁阻裝置的形成方法，其特征在于，該介電材料包括：
一平坦部，延伸于該襯底之上；以及
一突出部，突出于該平坦部之上且覆蓋該磁阻。
16.如權(quán)利要求15所述的磁阻裝置的形成方法，其特征在于，在刻蝕該介電材料之前，更包括：
形成一光刻膠材料于該介電材料之上；以及
回蝕該光刻膠材料，從而暴露出該介電材料的該突出部，并留下該光刻膠材料于該平坦部之上；
其中在刻蝕該介電材料之后，該平坦部留在該襯底上。
17.如權(quán)利要求13所述的磁阻裝置的形成方法，其特征在于，形成該磁阻的步驟包括：
形成一磁阻材料于該襯底之上；
形成一保護(hù)材料于該磁阻材料之上；以及
對(duì)該保護(hù)材料和該磁阻材料進(jìn)行一第一圖案化工藝，以分別形成一保護(hù)層和該磁阻。
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