[發(fā)明專利]磁阻裝置及其形成方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201911044722.6
• 申請日: 2019-10-30
• 公開（公告）號: CN112750942A
• 公開（公告）日: 2021-05-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 巫建勛;張正平;李建輝;楊岱宜;陳永祥
• 申請（專利權(quán)）人: 世界先進積體電路股份有限公司
• 主分類號: H01L43/02
• 分類號: H01L43/02;H01L43/08;H01L43/12
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 趙平;周永君

1.一種磁阻裝置，其特征在于，包括：

一磁阻，設(shè)置于一襯底之上；

一應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)，覆蓋該磁阻的一側(cè)表面；

一電連接結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該磁阻之上；以及

一鈍化層，設(shè)置于該電連接結(jié)構(gòu)和該應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)之上。

2.如權(quán)利要求1所述的磁阻裝置，其特征在于，該應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)面向該磁阻的一內(nèi)側(cè)表面向上延伸超出該磁阻的一上表面。

3.如權(quán)利要求1所述的磁阻裝置，其特征在于，該電連接結(jié)構(gòu)覆蓋該應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)背離該磁阻的一外側(cè)表面。

4.如權(quán)利要求1所述的磁阻裝置，其特征在于，該應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)以封閉環(huán)形方式延伸以圍繞該磁阻。

5.如權(quán)利要求1所述的磁阻裝置，其特征在于，該應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)包括：

一平坦部，延伸于該襯底的一介電層之上；

一突起部，突出于該平坦部之上且抵接該磁阻。

6.如權(quán)利要求1所述的磁阻裝置，其特征在于，該電連接結(jié)構(gòu)包括：

一下阻擋層、一金屬主體層、以及一上阻擋層，依序堆疊于該磁阻之上。

7.如權(quán)利要求6所述的磁阻裝置，其特征在于，更包括：

一保護層，設(shè)置于該磁阻與該下阻擋層之間。

8.如權(quán)利要求7所述的磁阻裝置，其特征在于，該保護層的一側(cè)表面對齊該磁阻的該側(cè)表面。

9.如權(quán)利要求8所述的磁阻裝置，其特征在于，該應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)至少部分覆蓋該保護層的該側(cè)表面。

10.如權(quán)利要求7所述的磁阻裝置，其特征在于，該保護層由鈦鎢形成。

11.如權(quán)利要求1所述的磁阻裝置，其特征在于，該應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)由氧化硅、氮化硅、或氮氧化硅形成。

12.如權(quán)利要求1所述的磁阻裝置，其特征在于，該襯底包括一平臺，且該應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)圍繞該平臺。

13.一種磁阻裝置的形成方法，其特征在于，包括：

形成一磁阻于一襯底之上；

形成一介電材料于該磁阻之上；

刻蝕該介電材料以形成一應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)圍繞該磁阻的一側(cè)表面；

形成一電連接結(jié)構(gòu)于該磁阻之上；以及

形成一鈍化層覆蓋該電連接結(jié)構(gòu)和該應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)。

14.如權(quán)利要求13所述的磁阻裝置的形成方法，其特征在于：

刻蝕該介電材料直到暴露出該襯底的一上表面；

該電連接結(jié)構(gòu)橫向延伸超出該應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)背離該磁阻的一外側(cè)表面。

15.如權(quán)利要求13所述的磁阻裝置的形成方法，其特征在于，該介電材料包括：

一平坦部，延伸于該襯底之上；以及

一突出部，突出于該平坦部之上且覆蓋該磁阻。

16.如權(quán)利要求15所述的磁阻裝置的形成方法，其特征在于，在刻蝕該介電材料之前，更包括：

形成一光刻膠材料于該介電材料之上；以及

回蝕該光刻膠材料，從而暴露出該介電材料的該突出部，并留下該光刻膠材料于該平坦部之上；

其中在刻蝕該介電材料之后，該平坦部留在該襯底上。

17.如權(quán)利要求13所述的磁阻裝置的形成方法，其特征在于，形成該磁阻的步驟包括：

形成一磁阻材料于該襯底之上；

形成一保護材料于該磁阻材料之上；以及

對該保護材料和該磁阻材料進行一第一圖案化工藝，以分別形成一保護層和該磁阻。