[發(fā)明專利]改善HIT電池電極接觸電阻和電導(dǎo)率的方法、電極制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911044429.X
• 申請(qǐng)日: 2019-10-30
• 公開（公告）號(hào): CN110854216B
• 公開（公告）日: 2021-10-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張磊;段晶晶;郭明波
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海潤(rùn)勢(shì)科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/0224
• 分類號(hào): H01L31/0224;H01L31/18
• 代理公司: 上海海鈞知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31330
• 代理人: 姜波

1.一種HIT電池電極制作方法，其特征在于，包括：在硅片表面制作納米金屬層作為種子層，進(jìn)行第一熱處理，第一熱處理采用激光選區(qū)輻照，對(duì)種子層進(jìn)行掃描式輻照；

在種子層表面包覆導(dǎo)電層漿料，導(dǎo)電層漿料將種子層完全覆蓋，不露出種子層，并與硅片表面TCO層接觸；

將種子層覆蓋了導(dǎo)電層漿料后的硅片進(jìn)行第二熱處理，使種子層表面的導(dǎo)電漿料固化，與種子層一起形成電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述種子層厚度為≤25μm，所述種子層寬度為≤50μm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述種子層采用納米金屬顆粒轉(zhuǎn)移到硅片上獲得，所述納米金屬顆粒的粒徑為≤800nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，第一熱處理過程，激光輻照的光斑大小采用小于或等于種子層寬度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一熱處理，激光波長(zhǎng)為100至1500nm，掃描速度為0.1～100m/s的脈沖或連續(xù)激光光束。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二熱處理，是將種子層覆蓋了導(dǎo)電層漿料后的硅片在同一溫度或溫度區(qū)間進(jìn)行熱處理。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

對(duì)制作了電極的硅片進(jìn)行第三熱處理，所述第三熱處理為對(duì)電極進(jìn)行激光輻射；所述第三熱處理，激光輻照的光斑大小采用小于或等于電極的寬度的光斑，進(jìn)行掃描式輻照，激光波長(zhǎng)為100至1500nm，掃描速度為0.1～100m/s的脈沖或連續(xù)激光光束。

8.一種電極，其特征在于，所述電極采用權(quán)利要求1所述方法制作。

9.一種能夠改善HIT電池電極接觸電阻和電導(dǎo)率的導(dǎo)電漿料制程方法，其特征在于，采用權(quán)利要求1所述方法制作電極。

10.一種HIT太陽能電池，其特征在于，所述太陽能電池的電極優(yōu)選為采用權(quán)利要求9所述的方法制作。