[發明專利]制造重布線路結構的方法在審
| 申請號： | 201911043962.4 | 申請日： | 2019-10-30 |
| 公開（公告）號： | CN111128768A | 公開（公告）日： | 2020-05-08 |
| 發明（設計）人： | 王俊杰;郭宏瑞;許照榮;李明潭 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/60 | 分類號： | H01L21/60;G03F7/16;G03F7/42 |
| 代理公司： | 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270 | 代理人： | 薛恒;王琳 |
| 地址： | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 制造 布線 結構 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種制造重布線路結構的方法，所述方法包括：
在管芯及包封所述管芯的包封體之上形成晶種層；
在所述晶種層之上形成第一光刻膠材料；
使用等于或小于0.18的數值孔徑，通過相移掩模將所述第一光刻膠材料曝光于I線步進光刻機內的I線波長；
將所述第一光刻膠材料顯影以形成第一光刻膠層，其中所述第一光刻膠層包括多個第一光刻膠圖案及所述多個第一光刻膠圖案之間的多個第一開口；
在所述多個第一開口中形成第一導電材料；
移除所述第一光刻膠層，以形成多個第一導電圖案；以及
使用所述多個第一導電圖案作為掩模，局部地移除所述晶種層，以在所述多個第一導電圖案下方形成多個晶種層圖案，其中多個重布線導電圖案分別包括所述多個晶種層圖案及所述多個第一導電圖案。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
