[發(fā)明專利]存儲器件的制造方法及沉積半導(dǎo)體材料于基板的方法

有效

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• 申請日: 2019-10-30
• 公開（公告）號: CN112750682B
• 公開（公告）日: 2022-12-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 崔鐘武;金成基
• 申請（專利權(quán)）人: 夏泰鑫半導(dǎo)體（青島）有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44334
• 代理人: 彭輝劍;龔慧惠

本發(fā)明提供一種存儲器件的制造方法，包括提供半導(dǎo)體基板，在將溫度由第一溫度逐漸升溫至第二溫度的過程中沉積第一半導(dǎo)體材料；在維持所述第二溫度的過程中，繼續(xù)沉積所述第一半導(dǎo)體材料，兩次沉積第一半導(dǎo)體材料形成位線接觸點(diǎn)；并以相同的方法沉積第二半導(dǎo)體材料形成存儲節(jié)點(diǎn)。本發(fā)明還提供一種沉積半導(dǎo)體材料于基板的方法。本發(fā)明的存儲器件的制造方法不僅可以改善半導(dǎo)體層的孔洞和間隙，還可以節(jié)省制程的時(shí)間，提高制造效率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種存儲器件的制造方法及一種沉積半導(dǎo)體材料于基板的方法。

背景技術(shù)

現(xiàn)如今，半導(dǎo)體元器件已廣泛地得到使用。半導(dǎo)體元器件的制備是在基礎(chǔ)的硅晶圓基底上進(jìn)行，經(jīng)過一系列選擇性蝕刻與薄膜沉積，從而在晶圓上形成極小的結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)電路設(shè)計(jì)的功能。動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是計(jì)算機(jī)中常用的半導(dǎo)體存儲器件，由許多重復(fù)的存儲單元組成。每一存儲單元主要由一個(gè)晶體管與一個(gè)由晶體管操控的電容器構(gòu)成，且存儲單元會排列成陣列形式，每一存儲單元通過字線與位線彼此電性連接。

存儲器件中的位線接觸點(diǎn)和存儲節(jié)點(diǎn)可由多晶硅材料沉積形成。在高溫的環(huán)境下沉積形成所述位線接觸點(diǎn)和存儲節(jié)點(diǎn)時(shí)，多晶硅層容易出現(xiàn)空洞和間隙，影響存儲器件的性能。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于此，本發(fā)明提供一種能夠在沉積多晶硅層時(shí)改善孔洞和間隙產(chǎn)生的存儲器件的制造方法。

一種存儲器件的制造方法，包括：

提供半導(dǎo)體基板；

將所述半導(dǎo)體基板所在的環(huán)境溫度調(diào)節(jié)到第一溫度后維持在第一溫度預(yù)設(shè)時(shí)長，然后由第一溫度逐漸升溫至第二溫度；

在所述第一溫度逐漸升溫至所述第二溫度的過程中沉積第一半導(dǎo)體材料于所述半導(dǎo)體基板上；

將所述環(huán)境溫度維持在所述第二溫度預(yù)設(shè)時(shí)長后，繼續(xù)在所述第二溫度的環(huán)境下沉積所述第一半導(dǎo)體材料，兩次沉積的第一半導(dǎo)體材料形成位線接觸點(diǎn)；

形成與所述位線接觸點(diǎn)連接的位線；

將所述半導(dǎo)體基板所在的環(huán)境溫度調(diào)節(jié)至所述第一溫度，然后由所述第一溫度逐漸升溫至所述第二溫度；

在所述第一溫度逐漸升溫至所述第二溫度的過程中沉積第二半導(dǎo)體材料于所述半導(dǎo)體基板上；

將所述環(huán)境溫度維持在所述第二溫度，繼續(xù)沉積所述第二半導(dǎo)體材料，兩次沉積的第二半導(dǎo)體材料形成存儲節(jié)點(diǎn)。

本發(fā)明還提供一種沉積半導(dǎo)體材料于基板的方法。

一種沉積半導(dǎo)體材料于基板的方法，包括:

提供基板；

將基板所在的環(huán)境溫度調(diào)節(jié)至第一溫度后維持在第一溫度預(yù)設(shè)時(shí)長，然后由第一溫度逐漸升溫至第二溫度；

在所述第一溫度逐漸升溫至所述第二溫度的過程中沉積第一半導(dǎo)體材料于所述基板上；

將所述環(huán)境溫度維持在所述第二溫度預(yù)設(shè)時(shí)長后，繼續(xù)在所述第二溫度的環(huán)境下沉積所述第一半導(dǎo)體材料。

相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的存儲器件的制造方法在由第一溫度升溫至第二溫度的過程中，一邊升溫一邊沉積第一半導(dǎo)體材料，之后維持第二溫度，再繼續(xù)沉積第一半導(dǎo)體材料，不僅可以改善半導(dǎo)體層的孔洞和間隙，還可以節(jié)省制程的時(shí)間，提高制造效率。

附圖說明

圖1是本發(fā)明一較佳實(shí)施例的存儲器件的制造流程圖。

圖2～6是制造本發(fā)明一較佳實(shí)施例的存儲器件的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

圖7是沉積半導(dǎo)體材料時(shí)的溫度控制圖。