[發(fā)明專(zhuān)利]一種多晶硅表金屬去除裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201911042951.4 | 申請(qǐng)日: | 2019-10-30 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN110641755A | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-01-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 余成有 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 廈門(mén)佰順興自動(dòng)化科技有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | B65B35/24 | 分類(lèi)號(hào): | B65B35/24;B65B55/00;B03C1/18;B08B15/02 |
| 代理公司: | 35218 廈門(mén)市精誠(chéng)新創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 何家富 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 上料輸送帶 傾斜式 多晶硅 輸送帶 抽吸罩 水平輸送帶機(jī)構(gòu) 永磁體 上端 金屬去除裝置 滾筒安裝 機(jī)構(gòu)布置 金屬吸附 掉落 粉塵 金屬 | ||
1.一種多晶硅表金屬去除裝置,其特征在于,包括傾斜式上料輸送帶機(jī)構(gòu)和水平輸送帶機(jī)構(gòu),所述傾斜式上料輸送帶機(jī)構(gòu)的上端滾筒安裝有永磁體并且在其下方設(shè)有第一抽吸罩,所述永磁體用于將多晶硅表金屬吸附在所述傾斜式上料輸送帶機(jī)構(gòu)的輸送帶上,所述第一抽吸罩用于收集并帶走從輸送帶掉落的多晶硅表金屬,所述水平輸送帶機(jī)構(gòu)橫向于所述傾斜式上料輸送帶機(jī)構(gòu)布置,其輸送帶位于所述傾斜式上料輸送帶機(jī)構(gòu)的上端的正下方并且設(shè)有第二抽吸罩,所述第二抽吸罩用于吸走多晶硅從所述傾斜式上料輸送帶機(jī)構(gòu)落到所述水平輸送帶機(jī)構(gòu)的輸送帶上產(chǎn)生的多晶硅粉塵。
2.如權(quán)利要求1所述的多晶硅表金屬去除裝置,其特征在于,所述上端滾筒包括轉(zhuǎn)軸、滾筒主體、永磁體套筒和端部固定套筒,所述滾筒主體固定套設(shè)在所述轉(zhuǎn)軸上,所述永磁體套筒固定套設(shè)在所述滾筒主體上,所述永磁體套筒安裝有所述永磁體,所述端部固定套筒固定套設(shè)在所述滾筒主體上以將所述永磁體套筒夾緊。
3.如權(quán)利要求2所述的多晶硅表金屬去除裝置,其特征在于,所述永磁體為多根磁棒。
4.如權(quán)利要求3所述的多晶硅表金屬去除裝置,其特征在于,磁棒的數(shù)量為24根,每根磁棒的磁場(chǎng)強(qiáng)度為1萬(wàn)高斯。
5.如權(quán)利要求2所述的多晶硅表金屬去除裝置,其特征在于,所述永磁體套筒固定套設(shè)在所述滾筒主體上是通過(guò)鍵槽結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)的。
6.如權(quán)利要求1所述的多晶硅表金屬去除裝置,其特征在于,所述傾斜式上料輸送帶機(jī)構(gòu)的輸送帶上安裝有多個(gè)橫向擋板以及左右波浪形擋板。
7.如權(quán)利要求6所述的多晶硅表金屬去除裝置,其特征在于,所述傾斜式上料輸送帶機(jī)構(gòu)的輸送帶的進(jìn)料段和出料段均為水平的,并且所述進(jìn)料段的上方設(shè)有第三抽吸罩,用于吸走進(jìn)料時(shí)產(chǎn)生的多晶硅粉塵。
8.如權(quán)利要求1所述的多晶硅表金屬去除裝置,其特征在于,所述水平輸送帶機(jī)構(gòu)的輸送帶可雙向運(yùn)動(dòng),并且所述傾斜式上料輸送帶機(jī)構(gòu)的上端位于其中間。
9.如權(quán)利要求8所述的多晶硅表金屬去除裝置,其特征在于,所述水平輸送帶機(jī)構(gòu)還包括分別布置在其輸送帶前后兩側(cè)的前擋板和后擋板,所述后擋板的中間部分上設(shè)有規(guī)則排列的吸塵孔,所述第二抽吸罩與所述吸塵孔流體連通。
10.如權(quán)利要求9所述的多晶硅表金屬去除裝置,其特征在于,所述第一抽吸罩固定安裝在水平輸送帶機(jī)構(gòu)的支架上,其與所述前擋板之間通過(guò)一傾斜集料槽連通。
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