[發(fā)明專利]量子點(diǎn)電致發(fā)光器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911042654.X
• 申請(qǐng)日: 2019-10-30
• 公開（公告）號(hào): CN112331777B
• 公開（公告）日: 2022-01-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蘇亮
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廣東聚華印刷顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/50
• 分類號(hào): H01L51/50
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 杜帥

本申請(qǐng)涉及一種量子點(diǎn)電致發(fā)光器件，其包括：第一電極、發(fā)光層以及第二電極，發(fā)光層設(shè)于所述第一電極上，發(fā)光層包括第一有機(jī)半導(dǎo)體材料、第二有機(jī)半導(dǎo)體材料和量子點(diǎn)材料，第一有機(jī)半導(dǎo)體材料與第二有機(jī)半導(dǎo)體材料形成激基復(fù)合物，其中，第一有機(jī)半導(dǎo)體材料為單分子熱激活延遲熒光材料，第二有機(jī)半導(dǎo)體材料為電子受體材料或電子給體材料。上述量子點(diǎn)電致發(fā)光器件的發(fā)光層中選用單分子熱激活延遲熒光材料作為第一有機(jī)半導(dǎo)體材料，選用電子受體材料或電子給體材料作為第二有機(jī)半導(dǎo)體材料，并與量子點(diǎn)材料構(gòu)成發(fā)光層材料，進(jìn)而形成雙通道的激子能量轉(zhuǎn)移，提高了量子點(diǎn)電致發(fā)光器件的電光轉(zhuǎn)移效率和器件穩(wěn)定性。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及顯示領(lǐng)域，特別是涉及一種量子點(diǎn)電致發(fā)光器件。

背景技術(shù)

量子點(diǎn)電致發(fā)光器件(QLED)具有可視角大、對(duì)比度高、響應(yīng)速度快、可柔性等諸多優(yōu)勢(shì)，其成為下一代顯示技術(shù)的研究熱點(diǎn)。

經(jīng)過多年的研究，量子點(diǎn)電致發(fā)光器件的發(fā)展形成了兩大基本的發(fā)光機(jī)制：(一)直接的電荷注入；(二)能量轉(zhuǎn)移。其中，在直接電荷注入的機(jī)制下，得益于ZnO電子傳輸層的引入以及量子點(diǎn)核殼結(jié)構(gòu)的優(yōu)化，量子點(diǎn)發(fā)光器件的性能取得了很大的進(jìn)步，例如：紅、綠QLED的最高外量子效率均超過20％，藍(lán)光QLED的最高外量子效率也日益接近20％。但是，隨著研究的深入，該類型量子點(diǎn)發(fā)光器件面臨著巨大的挑戰(zhàn)即電子過量問題，由此引發(fā)的量子點(diǎn)俄歇復(fù)合、空穴傳輸層衰退等不利結(jié)果，嚴(yán)重制約著量子點(diǎn)電致發(fā)光器件的穩(wěn)定性和壽命。

基于此，利用能量轉(zhuǎn)移原理日益得到研究人員的廣泛關(guān)注，因?yàn)樵谶@種模式下，量子點(diǎn)本身并不帶電荷，只是接受主體材料轉(zhuǎn)移來(lái)的激子，理論上不存在電荷過量的問題，為提高量子點(diǎn)發(fā)光器件的穩(wěn)定性和壽命提供了新的思路。然，利用能量轉(zhuǎn)移原理所制得的量子點(diǎn)發(fā)光器件的電光轉(zhuǎn)移效率仍有待提高。

發(fā)明內(nèi)容

基于此，有必要針對(duì)傳統(tǒng)的利用能量轉(zhuǎn)移原理制作的量子點(diǎn)發(fā)光器件電光轉(zhuǎn)移效率不高的問題，提供一種能夠提高電光轉(zhuǎn)移效率的量子點(diǎn)電致發(fā)光器件。

一種量子點(diǎn)電致發(fā)光器件，其包括：

第一電極；

發(fā)光層，所述發(fā)光層設(shè)于所述第一電極上，所述發(fā)光層包括第一有機(jī)半導(dǎo)體材料、第二有機(jī)半導(dǎo)體材料和量子點(diǎn)材料，所述第一有機(jī)半導(dǎo)體材料與所述第二有機(jī)半導(dǎo)體材料形成激基復(fù)合物，其中，所述第一有機(jī)半導(dǎo)體材料為單分子熱激活延遲熒光材料，所述第二有機(jī)半導(dǎo)體材料為電子受體材料或電子給體材料；以及

第二電極，所述第二電極設(shè)于所述發(fā)光層上。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述發(fā)光層包括層疊設(shè)置的第一子層和第二子層，所述第一有機(jī)半導(dǎo)體材料位于所述第一子層中，所述第二有機(jī)半導(dǎo)體材料位于所述第二子層中，所述第一有機(jī)半導(dǎo)體材料與所述第二有機(jī)半導(dǎo)體材料形成界面激基復(fù)合物。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述量子點(diǎn)材料位于所述第一子層中。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第二有機(jī)半導(dǎo)體材料為電子受體材料，所述電子受體材料與所述單分子熱激活延遲熒光材料形成激基復(fù)合物，所述電子受體材料的HOMO能級(jí)大于所述單分子熱激活延遲熒光材料的HOMO能級(jí)，所述電子受體材料的LUMO能級(jí)大于所述單分子熱激活延遲熒光材料的LUMO能級(jí)。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第二有機(jī)半導(dǎo)體材料為電子給體材料，所述電子給體材料與所述單分子熱激活延遲熒光材料形成激基復(fù)合物，所述電子給體材料的HOMO能級(jí)小于所述單分子熱激活延遲熒光材料的HOMO能級(jí)，所述電子給體材料的LUMO能級(jí)小于所述單分子熱激活延遲熒光材料的LUMO能級(jí)。