[發明專利]通過退火及相關方法減少半導體層和半導體器件的缺陷

在審

• 申請號: 201911040783.5
• 申請日: 2019-10-30
• 公開（公告）號: CN111211053A
• 公開（公告）日: 2020-05-29
• 發明（設計）人: A·薩利
• 申請（專利權）人: 半導體元件工業有限責任公司
• 主分類號: H01L21/324
• 分類號: H01L21/324;H01L29/78;H01L29/20
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 張小穩

1.一種半導體器件，包括：

半導體層，所述半導體層包括已經通過聚焦能量退火的氮化鎵GaN層或鋁GaN層；

漏極，所述漏極耦接到所述半導體層并且連接到第一電極；

源極，所述源極耦接到所述半導體層并且連接到相對于所述第一電極在所述半導體層的相對表面上的第二電極；

柵極，所述柵極耦接到所述半導體層的第一界面上的第二區；并且

其中源極區、漏極區和柵極區彼此隔離，并且提供晶體管器件結構和操作。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，包括支撐襯底，所述支撐襯底支撐所述半導體層，其中所述源極位于該襯底和GaN的背側之間。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述半導體層的厚度為0.1至20μm厚，以允許從幾伏到幾千伏的擊穿電壓。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述半導體層包含鋁GaN，并且鋁百分比介于5％和50％之間。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述半導體層包含退火的GaN。

6.根據權利要求5所述的半導體器件，其中所述半導體層包含退火的GaN，并且還包含未退火的GaN。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述半導體層包含氮化鎵GaN、鋁GaN、碳化硅、砷化鎵、金剛石、氧化鎵或它們的任何組合。

8.根據權利要求7所述的半導體器件，其中所述半導體層包括附加層，所述附加層包含氮化鋁AlN、氮化硅、氧化硅或它們的任何組合。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述半導體層包括鋁GaN(AlGaN)層，并且其中鋁占AlGaN層的5％至50％。

10.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述半導體層用激光器進行退火。