[發(fā)明專利]一種電致發(fā)光器件及其制作方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201911040083.6 | 申請(qǐng)日： | 2019-10-29 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN110828692A | 公開(kāi)（公告）日： | 2020-02-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 艾娜 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L51/52 | 分類號(hào)： | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人： | 黃靈飛 |
| 地址： | 518132 廣東省深*** | 國(guó)省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 電致發(fā)光 器件 及其 制作方法 | ||
1.一種電致發(fā)光器件，其特征在于，包括：
基板；
有機(jī)光伏電池單元，設(shè)于所述基板上；以及
半透明有機(jī)發(fā)光二極管單元，設(shè)于所述有機(jī)光伏電池單元上且與所述有機(jī)光伏電池單元串聯(lián)連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光器件，其特征在于，所述有機(jī)光伏電池單元包括：
第一電極，設(shè)于所述基板上；
第一電極修飾層，設(shè)于所述第一電極上；
有機(jī)半導(dǎo)體吸光層，設(shè)于所述第一電極修飾層上，用于吸收可見(jiàn)光至紅外光；
第二電極修飾層，設(shè)于所述有機(jī)半導(dǎo)體吸光層上；以及
第二電極，設(shè)于所述第二電極修飾層上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電致發(fā)光器件，其特征在于，所述有機(jī)半導(dǎo)體吸光層包括：
第一有機(jī)半導(dǎo)體吸光層，設(shè)于所述第一電極上，用于吸收可見(jiàn)光；以及
第二有機(jī)半導(dǎo)體吸光層，設(shè)于所述第一有機(jī)半導(dǎo)體吸光層上，用于吸收紅外光。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光器件，其特征在于，所述半透明有機(jī)發(fā)光二極管單元包括：
第二電極，設(shè)于所述有機(jī)光伏電池單元上；
發(fā)光層，設(shè)于所述第二電極上；以及
第三電極，設(shè)于所述發(fā)光層上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電致發(fā)光器件，其特征在于，所述半透明有機(jī)發(fā)光二極管單元還包括：
覆蓋層，設(shè)于所述第三電極上。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的電致發(fā)光器件，其特征在于，所述半透明有機(jī)發(fā)光二極管單元還包括：
空穴注入層，設(shè)于所述第二電極上；
空穴傳輸層，設(shè)于所述空穴注入層上；
所述發(fā)光層設(shè)于所述空穴傳輸層上；
電子傳輸層，設(shè)于所述發(fā)光層上；以及
電子注入層，設(shè)于所述電子傳輸層上。
7.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的電致發(fā)光器件，其特征在于，所述半透明有機(jī)發(fā)光二極管單元還包括：
電子注入層，設(shè)于所述第二電極上；
電子傳輸層，設(shè)于所述電子注入層上；
所述發(fā)光層設(shè)于所述電子傳輸層上；
空穴傳輸層，設(shè)于所述發(fā)光層上；以及
空穴注入層，設(shè)于所述空穴傳輸層上。
8.一種電致發(fā)光器件的制作方法，其特征在于，包括步驟：
提供一基板；
在所述基板上制作有機(jī)光伏電池單元；以及
在所述有機(jī)光伏電池單元上制作半透明有機(jī)發(fā)光二極管單元，所述半透明有機(jī)發(fā)光二極管單元與所述有機(jī)光伏電池單元串聯(lián)連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電致發(fā)光器件的制作方法，其特征在于，所述制作有機(jī)光伏電池單元包括步驟：
在所述基板上制作圖案化的第一電極；
在所述第一電極上通過(guò)真空蒸鍍、旋涂或噴墨打印的方式依次沉積第一電極修飾層、第一有機(jī)半導(dǎo)體吸光層、第二有機(jī)半導(dǎo)體吸光層、第二電極修飾層；其中所述第一有機(jī)半導(dǎo)體吸光層及所述第二有機(jī)半導(dǎo)體吸光層形成有機(jī)半導(dǎo)體吸光層，用于吸收可見(jiàn)光至紅外光；以及
在所述第二電極修飾層上制作半透明第二電極。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電致發(fā)光器件的制作方法，其特征在于，所述制作半透明有機(jī)發(fā)光二極管單元包括步驟：
在所述有機(jī)光伏電池單元上制作半透明第二電極；
在所述第二電極上通過(guò)真空蒸鍍、旋涂或噴墨打印的方式依次沉積空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層；或者在所述第二電極上通過(guò)真空蒸鍍、旋涂或噴墨打印的方式依次沉積電子注入層、電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層、空穴注入層；
在所述電子注入層或者所述空穴注入層上通過(guò)真空蒸鍍沉積半透明第三電極；以及
在所述第三電極上沉積覆蓋層。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司，未經(jīng)深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201911040083.6/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能，或者適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的，如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
