[發明專利]靜電防護結構、制造方法以及陣列基板母板

有效

• 申請號: 201911039733.5
• 申請日: 2019-10-29
• 公開（公告）號: CN110854113B
• 公開（公告）日: 2022-10-04
• 發明（設計）人: 聶曉輝
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L23/60
• 分類號: H01L23/60;H01L27/02;H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 李新干

1.一種靜電防護結構，其特征在于，用于對顯示面板的薄膜晶體管測試組進行靜電防護，所述靜電防護結構包括至少一個靜電傳導部和至少一個靜電釋放部，所述靜電傳導部和所述靜電釋放部依次交替連接、且首尾相連形成一閉合的環形，所述靜電傳導部包括第一金屬層，所述靜電釋放部包括半導體層，所述第一金屬層與所述半導體層通過第一電連接部電連接，所述第一金屬層與所述半導體層之間設置第一絕緣層，所述第一絕緣層中設置有第一通孔，所述半導體層包括所述第一電連接部，所述第一電連接部位于所述第一通孔內。

2.如權利要求1所述的靜電防護結構，其特征在于，所述靜電傳導部還包括一第二金屬層，所述第二金屬層設置于所述半導體層遠離所述第一金屬層一側，并通過第二電連接部與所述半導體層電連接。

3.如權利要求2所述的靜電防護結構，其特征在于，所述靜電防護結構還包括一第二絕緣層，所述第二絕緣層設置于所述第二金屬層與所述半導體層之間，所述第二絕緣層中設置有第二通孔，所述第二金屬層包括所述第二電連接部，所述第二電連接部位于所述第二通孔內。

4.如權利要求3所述的靜電防護結構，其特征在于，所述靜電傳導部還包括一第三金屬層，所述第三金屬層設置于所述第二金屬層遠離所述半導體層一側并通過第三電連接部與所述第二金屬層電連接。

5.如權利要求4所述的靜電防護結構，其特征在于，所述靜電防護結構還包括一第三絕緣層，所述第三絕緣層設置于所述第二金屬層與所述第三金屬層之間，所述第三絕緣層中設置有第三通孔，所述第三金屬層包括所述第三電連接部，所述第三電連接部位于所述第三通孔內。

6.一種陣列基板母板，其特征在于，包括至少一個陣列區域、至少一個薄膜晶體管測試組以及至少一個靜電防護結構，所述靜電防護結構包括至少一個靜電傳導部和至少一個靜電釋放部，所述靜電傳導部和所述靜電釋放部依次交替連接、且首尾相連形成一閉合的環形，所述靜電傳導部包括第一金屬層，所述靜電釋放部包括半導體層，所述第一金屬層與所述半導體層通過第一電連接部電連接，所述靜電防護結構圍繞所述薄膜晶體管測試組設置，所述靜電防護結構的所述半導體層與所述陣列區域的有源層同層設置，所述靜電防護結構的所述第一金屬層與所述陣列區域的溝道遮光層、柵極層和源漏極層其中之一同層設置。

7.如權利要求6所述的陣列基板母板，其特征在于，所述靜電防護結構還包括一第二金屬層，所述第一金屬層和所述第二金屬層與所述陣列區域的溝道遮光層、柵極層和源漏極層其中之二同層設置。

8.如權利要求7所述的陣列基板母板，其特征在于，所述靜電防護結構還包括一第三金屬層，所述第一金屬層、所述第二金屬層與所述第三金屬層分別與所述陣列區域的溝道遮光層、柵極層和源漏極層的其中之一同層設置。

9.一種靜電防護結構的制造方法，所述靜電防護結構用于保護顯示面板的薄膜晶體管測試組，其包括以下步驟：

提供一基板，所述基板包括第一區域和第二區域，所述第一區域和所述第二區域依次交替連接、且首尾相連形成一閉合的環形；

在所述基板的第一區域形成第一金屬層；

在所述第一金屬層的第一區域上形成第一絕緣層，第一絕緣層中形成第一通孔；

以及在所述第一絕緣層的第二區域形成半導體層，所述第一金屬層與所述半導體層通過第一電連接部電連接。