[發明專利]一種顯示基板及其制作方法、顯示裝置在審
| 申請號: | 201911038550.1 | 申請日: | 2019-10-29 |
| 公開(公告)號: | CN112750860A | 公開(公告)日: | 2021-05-04 |
| 發明(設計)人: | 袁粲;李永謙;袁志東 | 申請(專利權)人: | 合肥京東方卓印科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G09G3/3266 |
| 代理公司: | 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262 | 代理人: | 解婷婷;曲鵬 |
| 地址: | 230012 安徽省合肥市新*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示 及其 制作方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示基板,其特征在于,包括:基底以及設置在所述基底上的柵線、數據線、電源連接線以及由柵線和數據線交叉限定的多個子像素,每個子像素包括:驅動電路;所述驅動電路包括:多個晶體管和存儲電容,所述顯示基板存在由柵線和數據線短路形成的不良點,形成所述不良點的柵線為不良柵線;形成不良點的數據線為不良數據線;多個晶體管包括:開關晶體管、驅動晶體管和感測晶體管,所述存儲電容的第一電極分別與開關晶體管的第二極和驅動晶體管的柵電極連接,所述存儲電容的第二電極分別與驅動晶體管的第二極和感測晶體管的第二極連接;
對于每個子像素,驅動晶體管的第一極與電源連接線連接;所述電源連接線與多個晶體管的柵電極同層設置;所述不良柵線分別與第一修復子像素和第二修復子像素中的開關晶體管的柵電極連接;其中,第一修復子像素和第二修復子像素分別位于不良數據線兩側,且與不良柵線連接,與第一修復子像素和第二修復子像素連接的電源連接線為不良電源連接線;
所述不良柵線和所述不良電源連接線斷開設置,對于第一修復子像素和第二修復子像素,所述顯示基板還包括:設置在多個晶體管的源漏電極遠離基底一側的修復線,所述修復線分別與部分斷開設置的不良柵線和部分斷開設置的不良電源連接線連接,且用于傳輸掃描信號,以對顯示基板進行修復。
2.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述不良柵線包括:沿柵線延伸方向設置的,且相互斷開的第一掃描部、第二掃描部和第三掃描部,其中,所述第二掃描部位于所述第一掃描部和所述第三掃描部之間;
所述第二掃描部在基底上的正投影與所述不良數據線在基底上的正投影存在重疊區域,所述第一掃描部與位于所述不良數據線靠近所述第一修復子像素的一側的子像素中開關晶體管的柵電極連接;所述第三掃描部分別與位于不良數據線靠近所述第二修復子像素的一側的子像素中開關晶體管的柵電極連接;
所述修復線分別與第一掃描部和第三掃描部連接。
3.根據權利要求2所述的顯示基板,其特征在于,所述不良電源連接線包括沿柵線延伸方向設置的,且相互斷開的第一連接部、第二連接部和第三連接部;其中,所述第二連接部位于所述第一連接部和所述第三連接部之間;
所述第一連接部在基底上的正投影與第一修復子像素中的驅動晶體管的第一極存在重疊區域,且與第一修復子像素中的驅動晶體管的第一極連接,所述第三連接部在基底上的正投影與第二修復子像素中的驅動晶體管的第一極存在重疊區域,且與第二修復子像素中的驅動晶體管的第一極連接,所述第二連接部在基底上的正投影與第一修復子像素和第二子修復子像素中的開關晶體管的第二極存在重疊區域,所述第二連接部與修復線連接。
4.根據權利要求3所述的顯示基板,其特征在于,所述修復線包括:第一修復部和第二修復部;
其中,所述第一修復部分別與第一掃描部和第二連接部連接;所述第二修復部分別與第三掃描部和第二連接部連接;
所述第一修復部和所述第二修復部的制作材料包括:鎢。
5.根據權利要求4所述的顯示基板,其特征在于,所述第一修復子像素和所述第二修復子像素均包括:第一凹槽和第二凹槽;
其中,所述第一凹槽貫穿所述第一凹槽所在子像素中開關晶體管的有源層,且所述第一凹槽在基底上的正投影位于所述第一凹槽所在子像素中開關晶體管的第一極在基底上的正投影和所述第一凹槽所在子像素中開關晶體管的柵電極在基底上的正投影之間;
所述第二凹槽貫穿所述第二凹槽所在子像素中開關晶體管的第二極,且所述第二凹槽在基底上的正投影位于所述電源連接線在基底上的正投影和所述第二凹槽所在子像素的驅動晶體管的柵電極在基底上的正投影之間。
6.根據權利要求4所述的顯示基板,其特征在于,所述第一修復子像素和第二修復子像素均還包括:第一過孔和第二過孔;
其中,第一修復子像素中的第一過孔用于暴露第一掃描部,第二修復子像素中的第一過孔用于暴露第三掃描部,所述第二過孔用于暴露第二連接部。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于合肥京東方卓印科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司,未經合肥京東方卓印科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201911038550.1/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





