[發明專利]一種包含自偏置低壓電流鏡的高精度電流源

有效

• 申請號: 201911038497.5
• 申請日: 2019-10-29
• 公開（公告）號: CN110568903B
• 公開（公告）日: 2020-05-26
• 發明（設計）人: 吳強;李勛;馮全源;邸志雄;朱樟明
• 申請（專利權）人: 西南交通大學
• 主分類號: G05F3/26
• 分類號: G05F3/26
• 代理公司: 成都正華專利代理事務所(普通合伙) 51229
• 代理人: 陳選中

1.一種包含自偏置低壓電流鏡的高精度電流源，其特征在于，包括基準電流源電路(101)，以及與所述基準電流源電路(101)連接的自適應電流鏡電路(102)；

所述自適應電流鏡電路(102)包括共源共柵電流鏡，以及用于控制所述共源共柵電流鏡工作狀態的柵壓控制電阻R4；

所述共源共柵電流鏡包括CS放大子電路和CG放大子電路；

所述柵壓控制電阻R4的a4端與所述CS放大子電路的MOS管柵端連接；

所述柵壓控制電阻R4的b4端與所述CG放大子電路的MOS管柵端連接；

所述CS放大子電路包括MOS管M2和MOS管M3；所述CG放大子電路包括MOS管M4和MOS管M5；

所述MOS管M2的源極與所述MOS管M3的源極連接，并連接電源VDD，所述MOS管M2的柵極分別與所述MOS管M3的柵極、所述MOS管M4的漏極以及柵壓控制電阻R4的a4端連接，所述MOS管M2的漏極與所述MOS管M4的源極連接，所述MOS管M4的柵極分別與所述MOS管M5的柵極以及柵壓控制電阻R4的b4端連接，柵壓控制電阻R4的b4端還與MOS管M1的漏極連接，所述MOS管M3的漏極與所述MOS管M5的源極連接。

2.根據權利要求1所述的包含自偏置低壓電流鏡的高精度電流源，其特征在于，所述基準電流源電路(101)包括由限流電阻R1、限流電阻R2和BJT管T1構成分壓子電路、基準電流電阻R3以及MOS管M1；

所述基準電流電阻R3的a3端分別與所述分壓子電路以及所述MOS管M1的源極連接，所述MOS管M1的漏極與所述自適應電流鏡電路(102)連接，所述MOS管M1的柵極與所述分壓子電路連接，所述基準電流電阻R3的b3端與所述分壓子電路連接，并接地。

3.根據權利要求2所述的包含自偏置低壓電流鏡的高精度電流源，其特征在于，所述分壓子電路將所述基準電流源電路(101)的電壓分成四個部分，其包括限流電阻R1的電壓、BJT管T1集電極和基極之間的電壓Ucb、BJT管T1基極和發射極之間的電壓Ube和限流電阻R2的電壓。

4.根據權利要求3所述的包含自偏置低壓電流鏡的高精度電流源，其特征在于，所述限流電阻R1的a1端連接電源VDD，限流電阻R1的b1端分別與BJT管T1的集電極以及MOS管M1的柵極連接，所述BJT管T1的基極分別與MOS管M1的源極以及基準電流控制電阻R3的a3端連接，所述BJT管T1的發射極與限流電阻R2的a2端連接，限流電阻R2的b2端與基準電流控制電阻R3的b3端連接并接地，所述MOS管M1的漏極與所述自適應電流鏡電路(102)連接。