[發明專利]半導體元件制造系統及操作半導體元件制造系統的方法有效
| 申請號: | 201911038489.0 | 申請日: | 2019-10-29 |
| 公開(公告)號: | CN111105975B | 公開(公告)日: | 2022-09-06 |
| 發明(設計)人: | 林國禎 | 申請(專利權)人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01J37/32 | 分類號: | H01J37/32;H01L21/677 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國 |
| 地址: | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 元件 制造 系統 操作 方法 | ||
1.一種半導體元件制造系統,其特征在于,包括:
一加工腔;
一狹縫閥,該狹縫閥用以提供通往該加工腔的通路;
一夾盤,該夾盤設置在該加工腔中并且用以保持一基板;以及
一氣幕裝置,該氣幕裝置設置在該夾盤與該狹縫閥之間并且用以使一惰性氣體流動以形成一氣幕,其中該氣幕裝置包括一氣體導管,該氣體導管以一傾斜角度從該加工腔的一底部往該狹縫閥延伸。
2.根據權利要求1所述的半導體元件制造系統,其特征在于,該氣幕裝置設置在該夾盤下方。
3.根據權利要求1所述的半導體元件制造系統,其特征在于,該氣幕裝置包括:
一開口,該開口穿過該加工腔的一側壁形成,其中該氣體導管包括一出口并且連接到該開口,其中該出口朝向該狹縫閥傾斜。
4.根據權利要求1所述的半導體元件制造系統,其特征在于,還包括:
一氣體出口端口,該氣體出口端口穿過該加工腔的一側壁形成并且用以使該加工腔排氣;以及
另一氣幕裝置,該另一氣幕裝置用以使另一惰性氣體流動以形成該氣幕,其中:
該夾盤設置在該狹縫閥與該氣體出口端口之間;以及
該另一氣幕裝置設置在該夾盤與該氣體出口端口之間。
5.根據權利要求1所述的半導體元件制造系統,其特征在于,還包括一氣體偵測器,該氣體偵測器用以偵測該加工腔中的一氧氣變量或一濕氣變量。
6.一種操作半導體元件制造系統的方法,其特征在于,包括:
將一基板裝載到一半導體元件制造系統的一傳送模組中;
在該半導體元件制造系統的一加工腔中形成一氣幕,以阻止從該傳送模組到該加工腔的一氣流,其中該氣幕通過一氣體導管產生,該氣體導管以一傾斜角度從該加工腔的一底部往該傳送模組延伸;以及
將該基板從該傳送模組傳送到該加工腔。
7.根據權利要求6所述的操作半導體元件制造系統的方法,其特征在于,將該基板裝載到該傳送模組中包括使用一機器人臂從一基板儲存裝置傳送該基板。
8.根據權利要求6所述的操作半導體元件制造系統的方法,其特征在于,該形成該氣幕包括:
在該傳送模組與該加工腔之間形成一第一局部惰性氣流;以及
在該加工腔遠離該傳送模組與該加工腔之間的一邊界的一后側處形成一第二局部惰性氣流,其中該第一局部惰性氣流和該第二局部惰性氣流中的每一者的一流率大于1.0slm。
9.根據權利要求6所述的操作半導體元件制造系統的方法,其特征在于,形成該氣幕包括:形成從該加工腔的一底部側壁朝向加工腔的一頂部側壁流動的一定向惰性氣流。
10.根據權利要求6所述的操作半導體元件制造系統的方法,其特征在于,該形成該氣幕包括:形成經由傾斜的該氣體導管從該加工腔朝向該傳送模組流動的一惰性氣流。
11.根據權利要求6所述的操作半導體元件制造系統的方法,其特征在于,該形成該氣幕包括減小與該加工腔的一氣體出口端口相關的一氣體抽空流率。
12.根據權利要求6所述的操作半導體元件制造系統的方法,其特征在于,形成該氣幕包括閉合該加工腔的一氣體出口端口。
13.根據權利要求6所述的操作半導體元件制造系統的方法,其特征在于,將該基板從該傳送模組傳送到該加工腔包括傳輸該基板穿過該氣幕。
14.根據權利要求6所述的操作半導體元件制造系統的方法,其特征在于,還包括:
禁用該氣幕;
提供一制程氣體;以及
在該加工腔中用加工氣體對該基板進行退火。
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