[發明專利]一種全閃存儲系統元數據寫緩存刷盤方法及相關組件

在審

• 申請號: 201911037934.1
• 申請日: 2019-10-29
• 公開（公告）號: CN110795042A
• 公開（公告）日: 2020-02-14
• 發明（設計）人: 劉如意;孫京本;李佩
• 申請（專利權）人: 北京浪潮數據技術有限公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06
• 代理公司: 11227 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 張春輝

本申請公開了一種全閃存儲系統元數據寫緩存刷盤方法，涉及全閃存儲領域，該方法通過寫緩存維護了需要刷盤的元數據，通過分析插入數據跟B+樹的性質，只構造一個多級的帶有父節點的鏈表，將寫緩存元數據通過鏈表鏈接起來，就可以構造需要刷盤的子樹，而無需構造一棵真實的內存中B+樹，節約了內存，并提高了構造效率。本申請還公開了一種全閃存儲系統元數據寫緩存刷盤裝置、設備及一種可讀存儲介質，具有上述有益效果。

技術領域

本申請涉及全閃存儲領域，特別涉及一種全閃存儲系統元數據寫緩存刷盤方法、裝置、設備及可讀存儲介質。

背景技術

隨著SSD技術進步，成本降低，及客戶對數據訪問性能的不斷追求，全閃存儲系統成為一種趨勢。而為了適應SSD盤的特性，追加寫+垃圾回收是全閃系統的一種常用實現方式，這樣就會產生大量的元數據需要落盤。

目前元數據落盤一般按照傳統數據刷寫方式直接將元數據刷寫至磁盤，而該方式落盤效率低。

因此，如何提高元數據的落盤效率，是本領域技術人員需要解決的技術問題。

發明內容

本申請的目的是提供一種全閃存儲系統元數據寫緩存刷盤方法，該方法可以實現較高的元數據的落盤效率；本申請的另一目的是提供一種全閃存儲系統元數據寫緩存刷盤裝置、設備及可讀存儲介質。

為解決上述技術問題，本申請提供一種全閃存儲系統元數據寫緩存刷盤方法，包括：

將未刷盤的目標數據寫入寫緩存區域；其中，所述目標數據包括對盤上元數據的操作信息；

依照磁盤元數據存儲層次關系對所述目標數據進行鏈表構造，生成帶父節點指針的鏈表；

確定所述目標數據對應的待更新磁盤位置；

讀取目標節點；其中，所述目標節點為根據所述待更新磁盤位置確定的待更新磁盤節點；

依照所述鏈表對所述目標節點進行節點數據更新，得到更新后的節點；

將所述更新后的節點刷寫至磁盤中。

可選地，所述依照磁盤元數據存儲層次關系對所述目標數據進行鏈表構造，生成帶父節點指針的鏈表，包括：

依照磁盤元數據存儲層次關系將所述目標數據按照鍵值從小到大的順序進行鏈表構造，生成帶父節點指針的鏈表。

可選地，在所述依照磁盤元數據存儲層次關系對所述目標數據進行鏈表構造之前，還包括：

判斷所述寫緩存區域中所述目標數據的數據量是否達到寫入閾值；

若達到，執行所述依照磁盤元數據存儲層次關系對所述目標數據進行鏈表構造的步驟。

可選地，依照所述鏈表對所述目標節點進行節點數據更新，包括：

依照所述鏈表依照B+樹的組織方式對所述目標節點進行節點數據更新。

可選地，將未刷盤的目標數據寫入寫緩存區域，包括：將未刷盤數據的鍵值對寫入寫緩存區域。

可選地，將未刷盤的目標數據寫入寫緩存區域，包括：

將未刷盤的目標數據依照B+樹的組織方式寫入寫緩存區域。

本申請公開一種全閃存儲系統元數據寫緩存刷盤裝置，包括：

緩存寫入單元，用于將未刷盤的目標數據寫入寫緩存區域；其中，所述目標數據包括對盤上元數據的操作信息；

鏈表構造單元，用于依照磁盤元數據存儲層次關系對所述目標數據進行鏈表構造，生成帶父節點指針的鏈表；

位置確定單元，用于確定所述目標數據對應的待更新磁盤位置